罗慧
,
李世鸿
,
刘继松
,
陈立桥
,
魏丽红
,
王珂
,
梁云
,
吕刚
贵金属
用正硅酸惡酯、硝酸铝、硝酸钙、硝酸镁经化恘反愓，添加燃烧剂烧结后悁磨制成了超细玻璃粉原料；用水合三氯化钌高温脱水法制备了悦化钌粉原料；采用低温共烧(LTCC)制成了混有这两种原料的钌厚膜电阻。采用差热分析惖、激光粒度惖和扫描电子显微镜进行了分析表征。结果表明，制备的电阻浆料与 LTCC 生瓷烧结性能相匹配，稳定性好，温度系数在±200×10-6/℃惣内，制备的电阻器平均方阻为88.5?/□。
关键词:
复合材料
,
超细玻璃粉
,
钌
,
厚膜电阻浆料
,
LTCC
陈立桥
,
李世鸿
,
金勿毁
,
熊庆丰
,
刘继松
,
黄富春
,
罗慧
,
王珂
贵金属
银钯浆料具有较好焊接性与抗银迁移能力及可调的烧结温度，使得银钯复合粉在鹈膜微电子浆料中占有重要的地位。采用水合肼作为还原剂，通过表面活性剂种类的选择、加入方式的改变及加入量的控制，制备了不同形貌的Ag-10Pd复合粉。结果表明，聚乙烯吡咯烷酮对制备单分散的多面体银钯复合粉有较好的作用，而明胶的加入可以获得较好的球形复合粉，对其加入方式与加入量进行调控，可以选择性制备不同粒径与形态的Ag-10Pd复合粉。
关键词:
金属材料
,
银钯粉
,
电子浆料
,
表面活性剂
,
制备
罗慧
,
李世鸿
,
曾一明
,
刘继松
,
李文琳
,
幸七四
,
梁云
,
姚志强
,
张骏
贵金属
以HAuCl4·4H2O为前驱体,抗坏血酸(VC)为还原剂,线性聚乙烯亚胺(L-PEI)为表面活性剂在水相中制备了单分散的近球形和片状金粉.采用SEM、XRD和激光粒度分析仪对金粉的形貌、粒径、结晶和分散性进行了测试和表征.研究了还原剂和金前驱体的摩尔比、L-PEI浓度、温度及反应溶液的pH对近球形和片状金粉的形貌和粒径大小的影响.给出了制备微米级近球形和片状金粉的反应条件,同时也提出了近球形和片状金粉的成核和晶核生长的可能解释.
关键词:
金属材料
,
近球形金粉
,
片状金粉
,
制备
,
表征
王川
,
熊庆丰
,
黄富春
,
吕刚
,
刘继松
,
李文琳
,
田相亮
,
李世鸿
贵金属
通孔银浆料是低温共烧陶瓷(LTCC)基板配套的系列电子浆料中必不可少的一种材料，对银粉有很高的要求。用抗坏血酸还原体系制备银粉，研究硝酸银溶液浓度、pH 值、还原剂浓度对银粉形貌及粒度分布的影响，采用扫描电子显微镜对制备的银粉进行表征分析，选取3种不同类型的银粉调制成通孔银浆进行匹配性试验。结果表明，均一性、分散性良好且平均粒径为2.0μm的球形银粉具有较好的应用潜力。
关键词:
低温共烧陶瓷
,
通孔柱银浆
,
超细银粉
,
鹤学还原法
黄柏仁
,
叶忠信
,
李世鸿
,
汪岛军
,
陈昆歧
新型炭材料
采用微波等离子体化学气相沉积系统存钛/硅基板上沉积类金刚石薄膜,并利用拉曼光谱仪、扫瞄式电子显微镜及原子力显微镜研究了氢等离子体前处理及快速退火后处理对类金刚石薄膜场发射特性之影响.在沉积类金刚石薄膜之前,钛/硅基板使用了两种前处理技术:第一种为研磨金刚石粉末,第二种为研磨金刚石粉末后外加氢等离子体刻蚀处理.成长类金刚石薄膜后进行快速退火处理.发现不论是氢等离子体前处理还是快速退火后处理皆能改善场发射特性,其中经退火后处理的场发射特性比氢等离子体前处理的场发射特性改善更明显.其因之一在于快速退火后处理可在类金刚石薄膜表而形成sp2丛聚,提供了很多的场发射子,也同时增加了表面粗糙度;另一个原因可能是在快速退火后处理期间会使类金刚石薄膜进一步石墨化,因而提供了许多电子在通过类金刚石薄膜时的传输路径.研究结果表明:利用适当的前后处理技术可改进类金刚石薄膜的场发射特性,进而做为冷阴极材料之应用.
关键词:
类金刚石
,
等离子体处理
,
快速退火
,
场发射
樊明娜
,
李世鸿
,
刘继松
,
黄富春
贵金属
将3种银粉，即：片状银粉、片状银粉加入5%纳米银粉的混合粉、片状银粉加入10%纳米银粉的混合粉，加入双酚F环氧树脂中配制导电胶。通过在玻璃基片上印刷导电胶条，固化后测量其长、宽、厚和电阻，利用公式ρ=Rs/l计算体积电阻率。结果表明，当纳米银粉添加量为5%时，体积电阻率出现明显下降，混合银粉含量为75%时的体积电阻率能达到1.6×10-4?·cm。在接近“穿流阈值”时，加入纳米银粉可以增大颗粒间的接触面积，形成更多的导电通路，能降低导电胶的体积电阻率。
关键词:
复合材料
,
导电胶
,
体积电阻率
,
片状银粉
,
纳米银粉
金勿麎
,
陈立桥
,
李世鸿
,
吕刚
,
李俊鹏
,
罗麐
贵金属
以金铂钯粉末作为导电相的电子浆料由于其优异的可焊性、耐焊性与可靠性，成为低温共烧工艺配套用关键电子浆料之一。采用2种不同特性的金铂钯合金粉末调制出相应的浆料，比较研究了2种浆料与Ferro A6生瓷料带实施共烧鹊的匹配性、电学性能、可焊性与耐焊性、附着力等性能。结果表明，高密度、亚微米级球形粉制备的浆料具有更好的综合性能。
关键词:
金属材料
,
金铂钯
,
合金粉
,
电子浆料
,
低温共烧陶瓷
李世鸿
贵金属
doi:10.3969/j.issn.1004-0676.2001.01.013
概括介绍了厚膜金导体浆料。通过改变金粉、粘结剂和有机载体等主要组份的类型和含量，可以制得多种金浆料。①粘结剂类型对厚膜金导体的性能有较大的影响。根据附着机理分类，厚膜金导体分为4种主要类型，即玻璃结合型、反应结合型、混合结合型和表面活化结合型。②金粉颗粒的均匀性、单分散性、表面形态及尺寸对浆料的印刷性能和烧结性能影响大。颗粒表面越光滑，对提高印刷性能越有利。光滑的表面吸附有机载体较少，可减少导体膜在烘干—烧结时的收缩率。③有机载体的含量和流变学性能影响金浆料的印刷性能及烘干—烧结时的收缩率。④金浆中添加起合金化作用的元素，可提高导体在铝丝键合体系及Pb-In焊接体系的热老化性能。⑤为适应新的厚膜工艺技术的需要，研制可光刻的厚膜金导体浆料和金的金属有机浆料［Au MOC］。
关键词:
金
,
浆料
,
厚膜导体
罗慧
,
李世鸿
,
刘寄松
,
金勿毁
贵金属
采用高温熔融-水淬法制备玻璃相,固相法制备导电相Bi2Ru2O7、CaRuO3和BaRuO3,水浴溶解法制备有机载体,配制成电阻浆料后印制成电阻,经烘干、烧结后测算其重烧变化率.研究了玻璃组成中硼硅比例B2O3/SiO2、混合玻璃粉比例以及导电相对重烧变化率的影响.提出了改善电阻重烧变化率的几种办法.制备出的几种电阻浆料重烧变化率较小,可满足使用要求.
关键词:
复合材料
,
厚膜电阻
,
RuO2
,
CaRuO3
,
BaRuO3
,
重烧变化率
李世鸿
,
叶忠信
,
张永平
,
汪岛军
,
黄柏仁
新型炭材料
doi:10.1016/S1872-5805(08)60049-9
以化学气相沉积法成长多晶金刚石薄膜时,薄膜的品质会受到成长时间、成长压力、反应气体比例、偏压与否及成核的机制等因素影响.研究采用微波电浆辅助化学气相沉积(MPECVD)法,以甲烷(CH4)和氢气(H2)作为反应气体原料,在P型(111)硅基板沉积多晶金刚石薄膜.典型沉积多晶金刚石薄膜的制程可分为四个阶段:抛蚀表面阶段、渗碳阶段、偏压增强成核(BEN)阶段及成长阶段.研究将成长阶段划分为两个阶段,第一阶段压力较低(成长Ⅰ阶段),第二阶段压力较高(成长Ⅱ阶段).结果表明:第一阶段可大大改善金刚石薄膜的品质,所获多晶金刚石薄膜的晶粒具有明确的颗粒边界、较低的碳化物或缺陷,电导率急剧降低,显现出本徵金刚石半绝缘的性质.可以认为金刚石薄膜品质的改善完全为低压成长所致.实验发现在成长Ⅰ阶段或成长Ⅱ阶段施加偏压时,只会降低多晶金刚石薄膜的品质.
关键词:
多晶金刚石薄膜
,
微波电浆辅助化学气相沉积(MPECVD)
,
两段成长
,
偏压增强成核(BEN)
