秦臻
,
韩平
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韩甜甜
,
鄢波
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李志兵
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谢自力
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朱顺明
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符凯
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刘成祥
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王荣华
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李云菲
,
顾书林
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张荣
,
郑有炓
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.030
本工作用化学气相淀积方法在AlN/Si(100)复合衬底上生长SiC薄膜.外延生长过程中,采用C4H4和SiH4作为反应气源,H2作为载气.样品的X-射线衍射谱和拉曼散射谱显示,所得到的外延层为六角对称的SiC薄膜.俄歇电子能谱及X-射线光电子能谱的测量结果表明,在外延膜中存在来自衬底的Al和N元素...
关键词:
CVD
,
4H-SiC
,
光致发光
