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高压强下GaN的结构相变及电子结构的第一性原理研究

李健翔 , 符斯列 , 蒋联娇 , 马娟娟 , 詹吉玉

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.22.031

基于密度泛函理论的平面波赝势方法,选择广义梯度近似(GGA)下的PBE算法-关联泛函对GaN晶体结构、能带结构以及电子态密度随压强的变化进行了研究,并计算出GaN材料的相变点压强值.研究结果表明:随着压强增加,常见的纤锌矿与闪锌矿GaN会发生结构相变成岩盐矿结构,并且其能带结构均由直接带隙转变成间接...

关键词: 第一性原理 , GaN , 结构相变 , 电子结构

N空位、Ga空位对GaN∶Mn体系电磁性质和光学性质影响的第一性原理研究?

蒋联娇 , 符斯列 , 秦盈星 , 李健翔

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.12.023

基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法分别计算了 VGa和 VN 距掺入 Mn 原子为近邻、次近邻、远近邻各3种情况下GaN体系的电子结构和光学性质,分析比较了空位的不同位置对 Mn 掺杂 GaN 体系磁性的影响。计算结果表明,Mn掺杂会导致GaN体系带隙增大且体系表现为半金属铁磁性；VN 的...

关键词: GaN晶体 , Mn掺杂 , 空位 , 电子结构 , 光学性质

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