朱宝富
,
黄柏标
,
秦晓燕
,
李先林
,
姚书山
,
尉吉勇
,
张琦
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.013
我们利用MOCVD设备在α-Al2O3衬底上生长了c轴取向的ZnO薄膜,通过X射线衍射(XRD)、光致发光谱(PL)对ZnO薄膜进行表征,研究了退火对ZnO薄膜光电特性影响.通过退火优化, ZnO薄膜的结晶性得到提高,晶粒尺寸变大,紫外光发射峰的强度相对变强.
关键词:
MOCVD
,
退火
,
ZnO薄膜
,
X射线衍射
,
光致发光谱
