李光平
,
汝琼娜
,
李静
,
何秀坤
,
王寿寅
,
陈祖祥
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.017
研究了扫描光致发光光谱(PL mapping)在表征半绝缘砷化镓(SI-GaAs)材料中的应用,实验结果表明SI-GaAs晶片的PL强度及mapping均匀性对器件性能有着十分密切的关系,所以在为制备器件筛选优质的SI-GaAS材料时,除了电阻率、迁移率、位错密度、碳含量、EL2浓度及其均匀性、晶片表面质量外,PL mapping 也是表征材料质量的一个重要参数.
关键词:
光致发光光谱
,
砷化镓材料
,
表征材料
,
器件
