覃文治
,
郑家贵
,
蔡伟
,
冯良桓
,
蔡亚平
,
张静全
,
李卫
,
黎兵
,
武莉莉
,
李阳华
,
岳磊
,
郑华靖
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2005.02.026
在镀上金属电极前,对CdTe表面进行化学蚀刻是制备高效率碲化镉薄膜太阳电池的关键技术之一.本实验用Br2-甲醇对热处理后的CdTe薄膜进行蚀刻,并利用XRD、AFM研究其结构、成分和形貌.结果表明:蚀刻后的CdTe薄膜获得一银灰色的光洁表面,并发现CdTe薄膜表面产生一富Te层,蚀刻厚度达到1μm获...
关键词:
Br2-甲醇
,
蚀刻
,
CdTe太阳电池
王生浩
,
张静全
,
王波
,
冯良桓
,
蔡亚平
,
雷智
,
黎兵
,
武莉莉
,
李卫
,
曾广根
,
郑家贵
,
蔡伟
功能材料
采用直流反应磁控溅射法制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜,通过四探针、紫外可见分光光度计、X射线衍射(XRD)、霍尔效应仪、扫描电镜(SEM)等对薄膜样品进行了表征,研究了溅射功率和氧分压对ITO薄膜微观结构和光电性能的影响,结果表明:溅射功率对ITO的光电性能影响较小,沉积速率随着溅射功率的增大...
关键词:
氧化铟锡
,
直流磁控溅射
,
电阻率
,
透光率
陈伟
,
高汝伟
,
朱明刚
,
韩广兵
,
冯维存
,
张鹏
,
刘汉强
,
祁焱
,
刘宜华
,
李卫
,
王新林
金属功能材料
doi:10.3969/j.issn.1005-8192.2002.06.004
用熔体快淬+晶化处理的方法制备了不同Dy含量的Nd8-xDyxFe83.sCo2Nb1Ga1B4.5(x=0,0.2,0.5,0.8,1.0)纳米复合材料,用差动(扫描)分析(DSC)、X-射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)等研究了样品的晶化过程及微结构,用振动样品磁强计(VSM)测量了磁性能....
关键词:
纳米复合材料
,
微结构
,
磁性能
,
交换耦合作用
,
矫顽力
孙耀明
,
张静全
,
雷智
,
冯良桓
,
蔡亚平
,
武莉莉
,
李卫
,
黎兵
,
郑家贵
,
蔡伟
功能材料
CdTe退火是高效CdTe太阳电池制备中的关键步骤.均匀性是大面积太阳电池性能的决定性因素之一.对比研究了用CdCl2溶液渗透、CdCl2源蒸发、超声雾化CdCl2退火方式处理后电池的均匀性.比较了电池光Ⅳ曲线中的开路电压、短路电流密度、填充因子、效率的相对标准差以及效率位置分布图,得出溶液渗透方法...
关键词:
太阳电池
,
CdTe多晶薄膜
,
CdCl2
,
退火
,
均匀性
吴晓丽
,
郑家贵
,
郝瑞英
,
冯良桓
,
蔡伟
,
蔡亚平
,
张静全
,
黎兵
,
李卫
,
武莉莉
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.06.027
用共蒸发法在室温下制备了ZnTe:Cu多晶薄膜,利用XRD、AFM和XPS等测试技术对样品进行了表征,研究了掺Cu浓度和退火温度对薄膜物相和晶粒度的影响,分析了薄膜表面的元素状态.根据铜离子的变价行为对异常的电阻率温度关系作了解释.并确定了最佳掺铜浓度和退火温度.
关键词:
ZnTe:Cu多晶薄膜
,
共蒸发系统
,
结构
,
电阻率～温度
杨曜源
,
李卫
,
张力强
,
蔡以超
,
王向阳
,
肖红涛
,
田鸿昌
,
东艳萍
,
方珍意
,
郝永亮
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.01.020
本文报道了用化学气相沉积(CVD)法生长ZnS透明多晶体的实验结果,对生长的晶体的物理化学性能进行了测试,讨论了化学气相沉积工艺中影响ZnS晶体质量的因素.结果表明:选用固体硫作原料,用化学气相沉积方法,可以沉积出透明ZnS多晶体;它的透过性能极其优异,在6.2μm处无吸收峰,在中、长波红外透过率可...
关键词:
化学气相沉积法
,
硫化锌
,
红外材料
覃文治
,
郑家贵
,
李卫
,
蔡伟
,
冯良桓
,
蔡亚平
,
黎兵
,
张静全
,
武莉莉
,
夏庚培
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.01.005
为了提高 CdTe太阳电池的背接触性能,用共蒸发法制备了 ZnTe:Cu和 Cd1- xZnxTe多晶薄膜. 研究结果表明: Cd1- xZnxTe多晶薄膜的能隙与锌含量呈二次方关系, ZnTe:Cu多晶薄膜能隙随着掺 Cu浓度的增加而减小.分别用 ZnTe/ZnTe:Cu和 Cd1- xZnxTe...
关键词:
多晶薄膜CdTe太阳电池
,
复合背接触层
,
能隙
付文博
,
刘庭良
,
何绪林
,
张静全
,
冯良桓
,
武莉莉
,
李卫
,
黎兵
,
曾广根
,
王文武
功能材料
对近空间升华制备的CdTe薄膜进行了CdCl2气氛下热处理。测量了样品在室温下的交流阻抗特性,基于恒相位角元件（CPE）等效电路拟合所测量的复阻抗谱,分析了退火工艺对CdTe薄膜的晶粒体电阻、晶界电阻、弛豫时间的影响。结果表明,随退火温度的增加,晶粒电阻增大,晶界电阻减小,弛豫时间缩短。
关键词:
CdTe
,
多晶薄膜
,
交流阻抗
,
晶界
蒋显辉
,
郑家贵
,
黎兵
,
夏庚培
,
武莉莉
,
冯良桓
,
蔡伟
,
张静全
,
李卫
,
雷智
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.01.014
通过研究大面积CdTe多晶薄膜沉积的升温过程,并调节石墨群边改进加热灯管的分布获得了较均匀的温场,在混合氩氧气氛下,用自行设计制造的近空间升华系统制备出了面积为300 mm×400 mm的大面积CdTe多晶薄膜,利用XRD、SEM研究其结构、成分和形貌,结果表明:CdTe薄膜呈(111)择优取向,且...
关键词:
CdTe薄膜
,
近空间升华法
,
大面积
杨曜源
,
蔡以超
,
东艳苹
,
张力强
,
王向阳
,
肖红涛
,
田鸿昌
,
李卫
,
郝永亮
,
方珍意
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.02.026
本文报道了CVD法制备ZnS晶体的制备工艺,系统地研究了气体流量、工作气压、基板温度等主要工艺参数对沉积速率的影响规律.实验表明,随着H2S(s)/Zn摩尔流量比的增加,沉积速率逐渐增大;基板温度升高,沉积速率加快;工作气压增大,沉积速率变化不大.在本实验研究的条件下认为,采用合适的H2S(s)/Z...
关键词:
红外材料
,
ZnS
,
CVD
,
沉积速率
