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电子束蒸发沉积重掺硅薄膜及其在低辐射玻璃上的应用

刘学丽 , 黄延伟 , 李向明 , 席俊华 , 季振国

功能材料

采用电子束蒸发法以普通玻璃为基板制备了重掺硅薄膜,通过SEM、EDS、透射光谱对其形貌、成分以及透射率进行了测试表征.进一步采用铝诱导低温晶化法在玻璃基板上沉积Al薄膜,对重掺硅薄膜进行铝诱导晶化.XRD测试、电学性能测试以及可见-红外光谱透射率测试结果表明,硅薄膜在温度为300℃以上出现了Si(111)的衍射峰,薄膜的导电性得到了提高,且具有较强的红外反射能力,表明在低辐射玻璃上具有一定的应用价值.同时采用电子束蒸发法制备了结构为glass/Si/Ag/Si的Ag基低辐射玻璃,通过光学性质测试和腐蚀情况观察结果表明硅薄膜具有保护低辐射薄膜的作用.

关键词: 电子束蒸发 , 重掺硅薄膜 , 低辐射玻璃 , 硅保护层 , 铝诱导低温晶化法

渗硅技术原位制备Ti3SiC2-SiC复合材料的新工艺

卢翠英 , 殷小玮 , 李向明

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2010.10041

提出制备Ti3SiC2-SiC复合材料的一种新思路, 即利用液态硅渗透TiC/C预制体原位反应制备Ti3SiC2-SiC复合材料, 并采用XRD、SEM和EDS考察了材料的显微结构和力学性能. 结果表明: 制备出材料主要由Ti3SiC2相组成, SiC相含量较少; Ti3SiC2晶相呈现出3~10μm大小的层状结构; 施加10kg的压力下测得样品S1550-1, S1550-3和S1550-4的硬度分别为6.8GPa、7.1GPa 和7.8GPa, 它们的密度在3.55~3.96g/cm3范围内. 实验结果表明,利用液态硅渗透技术原位制备Ti3SiC2-SiC复合材料是一种可行的新工艺.

关键词: 液态硅渗透 , novel in-situ rout of synthesis , TiC/C performs , Ti3SiC2-SiC composites

渗硅技术原位制备Ti3SiC2-SiC复合材料的新工艺

卢翠英 , 殷小玮 , 李向明

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2010.10041

提出制备Ti3SiC2-SiC复合材料的一种新思路,即利用液态硅渗透TiC/C预制体原位反应制备Ti3SiC2-SiC复合材料,并采用XRD、SEM和EDS考察了材料的显微结构和力学性能.结果表明:制备出材料主要由Ti3SiC2相组成,SiC相含量较少;Ti3SiC2 晶相呈现出3~l0μm大小的层状结构;施加10kg的胀力下测得样品S1550-1,S1550-3和S1550-4的硬度分别为6.8GPa、7.1GPa和7.8GPa,它们的密度在3.55~3.96g/cm3范围内.实验结果表明,利用液态硅渗透技术原位制备Ti3SiC2-SiC复合材料是一种可行的新工艺.

关键词: 液态硅渗透 , 新型原位合成 , TiC/C预制体 , Ti3SiC2-SiC复合材料

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