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MgB2超导体的正电子湮没研究

葛永霞 , 常方高 , 李涛 , 路庆凤 , 李喜贵

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2005.z1.099

本文利用正电子湮没技术(PAT)对不同密度的MgB2样品分别进行了测定,结果发现正电子在MgB2中自由态的湮没时间(本征寿命τ1)和在捕获态的湮没时间(缺陷寿命τ2)比其他高温超导体都明显要高,这反映了MgB2的体电子浓度相对于其它超导体要低,可能归因于MgB2超导材料本身的晶体结构和化学组成,MgB2超导材料的正电子寿命不仅与晶体的结构缺陷,而且与样品的密度或孔隙度有关.

关键词: MgB2超导体 , 正电子湮没 , 结构缺陷

Eu替代浓度对Y1-xEuxBa2Cu3O7-δ体系电子结构和超导电性的影响

薛运才 , 李喜贵 , 苏玉玲 , 刘海增 , 陈镇平

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2006.01.014

利用正电子湮没和X-射线衍射技术,对Eu替代Y位的Y1-xEuxBa2Cu3O7-δ(x=0.1,0.2,0.3,0.4,0.5,0.6,0.8,1.0)超导体系进行了系统研究,分析了体系的电子结构和正电子寿命参数的变化特征.给出了超导转变温度Tc与Eu替代浓度x之关联.结果表明:所有Y1-xEuxBa2Cu3O7-δ样品均保持与YBa2Cu3O7-δ(Y-123)样品相同的单相正交结构;正电子平均寿命τm随Eu替代浓度x的增加而增加,反映了Eu替代Y位引起晶胞结构参量的变化不仅改变了Y位的电子密度,同时也影响了Cu-O链周围的电子密度分布及Cu-O面的层间耦合.

关键词: 高温超导体 , 正电子湮没 , 电子结构

YBa2Cu3O7-δ超导体烧结特性的正电子寿命谱研究

陈镇平 , 李金铭 , 李喜贵 , 靳晋中 , 张金仓

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2000.04.008

研究了不同烧结时间(2～72hrs)的YBa2Cu3O7-δ超导材料的正电子寿命谱,给出了正电子寿命参数与烧结时间的对应关系,发现了Y-123超导体系的结晶度、晶体结构、空位浓度与烧结时间之间的关联,证明在高温超导材料的制备过程中,合适的烧结时间是必要的.这一结果为正电子湮灭技术用于研究Y-123超导体实验结果的可靠性及其与工艺的依赖关系提供了重要的基础研究资料.

关键词:

YBa2Cu3-xZnxO7-δ(x=0.0～0.5)体系的正电子寿命谱研究

张金仓 , 邓冬梅 , 李喜贵 , 陈镇平 , 籍远明

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2000.02.011

利用正电子湮没谱方法,对Zn替代的YBa2Cu3-xZnxO7-δ(x=0.0～0.5)体系进行了系统研究,给出了正电子寿命参数随Zn替代含量x的变化.证明CuO2面载流子的不均匀分布乃是Zn替代引起超导电性退化的主要原因.讨论了Zn替代引起Y-123体系电子结构的变化特征并给出了初步的解释.

关键词:

镧系超导体1/8反常现象的研究

王海英 , 杜保立 , 李玉山 , 张星 , 李喜贵 , 路庆凤

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2005.z1.029

我们测量了La2-xMxCuO4 (LMCO,M=Sr,Ba,x=0.05,0.10,0.125,0.15,0.2)体系的室温正电子寿命谱,研究了正电子湮没机制与超导电性之间的关系.实验结果表明在x=1/8附近电子密度(ne)出现峰值响应,说明在掺杂浓度不断增加的过程中,当x<1/8时,正电子-空穴反关联起决定性的作用,而在x>1/8时,化学掺杂引起的电子损失是决定电子密度的最重要的原因.

关键词: La2-xMxCuO4超导体 , 正电子寿命谱参数 , 掺杂 , 电子密度

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