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新型高灵敏度GLV光学电流传感器设计与性能分析

鲁亮 , 穆参军 , 李四华 , 吴亚明

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.01.007

本文结合GLV技术设计了一种适于检测高压交流电的新型光学电流传感器.这一设计具有温度稳定性好、大电流下灵敏度高、频率响应范围宽等特点,且测量芯片制作工艺简单、成本低廉.通过有限元分析和数值计算对器件的模态、工作性能、热膨胀特性等进行了分析模拟,结果表明:测量芯片量程达500A~2000A,并可通过改变设计参数灵活调整;一阶固有频率接近60kHz,大电流下灵敏度接近0.2dB/A,外界温度变化±50K时传感器测试误差在0.7%以内.

关键词: 光栅光阀(GLV) , 光学电流传感器 , 双端固支梁

基于多掩膜光刻工艺的MEMS体硅加工

黄占喜 , 吴亚明 , 李四华

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.03.015

本文提出了一种新颖的MEMS多掩膜工艺,实现了带有大台阶和大深宽比窄槽的衬底上的体硅精细加工.通过薄胶多次光刻在衬底上制作出氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、光刻胶(photoresist,PR)等材料的多层掩膜图形,每层掩膜可以进行一次衬底刻蚀或腐蚀,刻蚀或腐蚀完毕后去除该层掩膜.该工艺解决了MEMS工艺中的深坑涂胶和光刻问题,结合深反应离子刻蚀(Deep Reactive Ion Etching,DRIE)、湿法腐蚀等工艺可以用于多级台阶、深坑底部精细结构、微结构释放等MEMS工艺.

关键词: MEMS , 光刻 , 多掩膜 , 体硅工艺

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