汪剑成
,
苏根博
,
郑国宗
,
李国辉
,
邹宇琦
,
赵元安
,
胡国行
,
黄万霞
,
庄欣欣
人工晶体学报
设计溶液实时连续过滤装置用于降温法快速生长KDP晶体.采用高亮度激光照射分析对比晶体内部的散射点密度,以同步辐射为光源的X射线形貌成像技术探测晶体内部的生长缺陷,并测定晶体三倍频激光(355 nm)的损伤阈值.实验结果显示,溶液连续过滤法生长的KDP晶体中包裹体和位错的密度明显降低,晶体的激光损伤阈...
关键词:
KDP晶体
,
连续过滤
,
包裹
,
位错
,
激光损伤阈值
李国辉
,
刘勇
,
国秀花
,
冯江
,
宋克兴
,
田保红
,
龙伟民
材料热处理学报
doi:10.13289/j.issn.1009-6264.2016-X233
采用放电等离子烧结法(SPS法)制备了不同TiB2体积分数的TiBJCu复合材料,测试其密度、硬度和导电率,观察其微观组织;利用JF04C型电接触材料性能测试系统探究TiB2含量和电流对复合材料耐电弧烧蚀性能的影响.结果表明:加入TiB2增强相后,复合材料中Cu晶粒得到细化;当TiB2体积分数增至5...
关键词:
TiB2/Cu复合材料
,
放电等离子烧结
,
硬度
,
导电率
,
电弧烧蚀
袁兴东
,
沈健
,
李国辉
,
周敬来
,
催化学报
采用水热法直接合成了含磺酸基的介孔分子筛SBA-15-SO3H. XRD表征结果表明,该分子筛具有规则的、六方立柱形的中孔结构,通过酸碱滴定和XRD确定了正硅酸乙酯/有机硅的最佳合成配比为9(α=0.1). 29Si MAS NMR固体核磁结果表明,含磺酸基的有机基团Si-(CH2)3-SO3H中的...
关键词:
介孔分子筛
,
SBA-15分子筛
,
固体酸
,
磺酸
,
表面改性
,
多相催化剂
,
酯化
李国辉
,
苏根博
,
薛丽平
,
庄欣欣
,
贺友平
,
李征东
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.030
我们使用优级纯的KH2PO4和超纯水(电阻率≥18.2MΩ·cm)为原料,采用新的添加剂KCl(氯化钾)及EDTA钾盐,使生长溶液的稳定性得到提高,在5L生长槽内生长出51mm×54mm×40mm的KDP单晶,生长速度达到15～20mm/d,并检测了快速生长晶体的重要的应用性能,发现与高质量慢速生长...
关键词:
KDP晶体
,
快速生长
,
添加剂
,
光学性能
陈建彬
,
林羽
,
李国辉
,
陈建珊
,
滕硕
,
姚元根
人工晶体学报
采用液相法合成原料,通过自动提拉法在铱坩埚中成功地生长出直径为35 ～40 mm,长度为40 ～ 50 mm的大尺寸优质TGG晶体.该晶体外观笔直,内部光滑透明,没有螺旋纹,没有界面反转.经氦氖激光器检测证明该晶体具有无散射、无核心、不开裂的优点,经X射线粉末衍射证明晶体和底料均为TGG相,没有其它...
关键词:
铽嫁石榴石(TGG)
,
提拉法
,
损伤阈值
李国辉
,
黄红霞
,
王新颖
,
李银
表面技术
目的：提高 AB3型储氢合金的电化学性能,扩大其应用范围。方法运用 HF 和 NaF 组成的溶液对 AB3型合金 Mm0.78 Mg0.22 Ni2.48 Mn0.09 Al0.23 Co0.47(Mm 由82.3% La 和17.7% Nd(均为原子数分数)组成)进行表面处理,考察改性处理对合金相...
关键词:
储氢合金
,
氟化处理
,
表面改性
,
电化学性能
陈建彬
,
林羽
,
李国辉
,
陈建珊
,
姚元根
人工晶体学报
采用提拉法成功生长出YVO4+Nd∶ YVO4复合晶体,相对于采用光胶方法键合的晶体具有免键合面洁净处理,免键合面抛光的优点.且不会出现类似键合过程中产生的色心、气泡、裂纹等缺陷.且较其它方法还省了工序,复合面结合稳固,操作方便简单,晶体光学性能优良等优点,本文对该方法进行了介绍.
关键词:
钒酸钇
,
复合晶体
,
提拉法
邹蓉
,
徐建刚
,
宋海洋
,
席欢
,
李国辉
兵器材料科学与工程
采用分子动力学模拟方法研究了旋转晶界角对铜孪晶纳米线拉伸加载下力学性能的影响.模拟采用多体紧束缚势函数描述铜原子间的相互作用.通过模拟结果,分析了单晶铜和孪晶铜之间的差异,以及不同旋转晶界角的铜孪晶纳米线的位错成核机制.结果表明:随着旋转晶界角的增加,铜纳米线的屈服强度减弱;当旋转晶界角较小时,界面...
关键词:
分子动力学模拟
,
铜孪晶纳米线
,
旋转晶界角
,
失配位错
,
力学性能
杨茹
,
李国辉
,
仁永玲
,
阎凤章
,
朱红清
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.035
研究了一种光纤通讯用光电探测器.在GaAs上蒸镀800nm的Ge,并在此材料基础上提出了一种吸收倍增分离的雪崩二极管(SAM-APD)的结构设计,采用GaAs作为倍增区,Ge作为吸收区.在此结构上初步制作的二极管正向开启电压为0.2～0.3V,反向击穿电压为2.5V,漏电不明显,p-n结特性良好.
关键词:
Ge/GaAs
,
吸收倍增分离
,
雪崩光电二极管(APD)
