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检索条件:作者=李培成  

  • 论文(1)

GaN薄膜大型V形表面坑的形成和光学性质

高志远 , 段焕涛 , 郝跃 , 李培成 , 张金凤

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2008.06.019

研究了用MOCVD设备在高温和低V/Ⅲ条件下生长的GaN薄膜表面存在的与位错相连的大型V形表面坑,并提出了一个有关质量疏运机制的模型以解释其形成机理.由衬底扩散上出来的Al原子对大型坑的形成具有辅助作用,并阻止了深能级杂质或空位缀饰与坑相连的位错.GaN内的位错是非辐射复合中心,但对深能级发光不起作...

关键词: 无机非金属材料 , 半导体材料 , 缺陷 , 材料表征 , 表面坑