李夏南
,
于乃森
,
曹保胜
,
丛妍
,
周均铭
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.06.002
研究了以金属有机化学气相沉积方法生长在SiNx掩模层的GaN的应力状态,以及应力对光学性质的影响.通过微区拉曼光谱对应力进行了表征,结果显示,随着SiNx掩模淀积时间的增加,其上生长的GaN应力会相应地,释放.相应地,低温光致发光测试显示,施主束缚激子发光峰峰位出现明显的红移.我们认为,随着SiNx掩模淀积时间的增加,掩模覆盖度的增大,促进了侧向外延的生长,释放了压应力,进而影响了材料的光学性质.
关键词:
氮化镓
,
金属有机化学气相沉积
,
应力
,
原位氮化硅掩膜
