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周红 , 应鹏展 , 崔教林 , 王晶 , 高榆岚 , 李亚鹏 , 李奕沄
稀有金属材料与工程
利用放电等离子烧结技术制备了宽带隙三元半导体化合物CuIn5Se8,并对其热电性能进行了研究.物相分析表明,化合物为单相CuIn5Se8,带隙宽度为1.13 eV,比In2Se3合金的低.电学性能测试结果表明,随温度升高Seebeck系数绝对值从370.0 μV·K-1降低到263.0 μV·K-1...
关键词: CuIn5Se8 , 宽带隙半导体 , 热电性能
崔教林 , 张晓军 , 李奕沄 , 高榆岚
α-In2Se3是一类A2ⅢB3Ⅳ型宽带隙半导体材料.但在α-In2Se3化合物中共掺杂适量的Cu,Te后发现禁带宽度(Eg)变窄,Eg值由本征态时的1.32 eV减小到1.14 eV.掺杂后电学性能得到了大幅度的改善.最大功率因子由0.76×10-4增大到2.8×10-4 W·m-1·K-2；最大...
关键词: α-In2Se3基半导体 , 禁带宽度(Eg) , 热电性能
