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三维生长温度对非故意掺杂GaN外延层性能的影响

李小杜 , 尚林 , 朱亚丹 , 贾志刚 , 梅伏洪 , 翟光美 , 李学敏 , 许并社

人工晶体学报

利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石(0001)面上生长GaN外延层,并系统研究了三维生长温度对外延层晶体质量和残余应力的影响机理.利用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、原子力显微镜(AFM)、光致发光光谱仪(PL)和拉曼光谱仪(Raman)分别对外延层的位错密度、表面形貌、发光性能和...

关键词: GaN , 三维生长温度 , 位错 , 残余应力