陈磊
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朱亚波
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李延龄
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范贺良
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赫占军
稀有金属材料与工程
利用第一性原理平面波赝势方法,研究Bi2Se3从块体到薄膜的电子结构变化特性.通过分析材料的原子位置以及电子间相互作用,具体探讨块体、双层和单层薄膜及单层Pb掺杂薄膜的能带结构、态密度等.计算结果表明,这几种材料的价带和导带主要由原子的p态构成,同时由于Bi (Pb)的6s轨道态对价带顶的影响,它们的带隙类型随着材料结构的变化,发生从直接带隙到间接带隙的转变,此外Pb掺杂单层薄膜后产生的Se(1 /)层对其电子结构的变化有重要影响.
关键词:
Bi2Se3薄膜
,
能带
,
态密度
,
电子结构
