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Cu(In,Ga)Se2薄膜电沉积制备及性能研究

夏冬林 , 徐慢 , 李建庄 , 赵修建

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.049

采用Mo/钠钙玻璃衬底作为阴极,饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,大面积的铂网电极作为阳极的三电极体系,以氯化铜,三氯化铟,三氯化镓和亚硒酸的水溶液为电解液,利用电沉积技术制备出黄铜矿结构Cu(In,Ga)Se2多晶薄膜.研究了不同热处理温度对CIGS多晶薄膜材料的组成、结构和表面形貌的影响以及薄膜的光电学性能.实验结果表明当热处理温度为450℃时,所制备的Cu(In,Ga)Se2薄膜的化学组成接近理想的化学计量比,薄膜具有黄铜矿结构,颗粒均匀,致密性较好,在室温下禁带宽度为1.43 eV,具有高的吸收系数.

关键词: Cu(In,Ga)Se2(CIGS) , 薄膜 , 电沉积 , 太阳能电池

柠檬酸浓度对电沉积制备CuInSe2薄膜的影响

夏冬林 , 李建庄 , 赵修建

材料导报

采用Mo/钠钙玻璃衬底作研究电极,饱和甘汞电极(SCE)作参比电极,铂网电极作辅助电极的三电极体系,利用电沉积技术在镀钼的钠钙玻璃衬底上制备CuInSe2薄膜,研究络合剂柠檬酸浓度对CuInSe2薄膜制备的影响.利用EDS、xRD和SEM对制备的CuInSe2薄膜进行表征,结果表明:当柠檬酸的浓度为0.5mol/I时,可以制备致密性好、晶粒分布均匀、组分接近化学计量比的黄铜矿结构的CuInSe2薄膜.

关键词: 电沉积 , CuInSe2薄膜 , 络合剂

柠檬酸钠的浓度对电沉积制备Cu(In, Ga)Se2薄膜的影响

夏冬林 , 赵修建 , 李建庄

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.04.029

本文详细介绍了电沉积制备Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜的原理.电解液由CuCl2,InCl3,GaCl3和柠檬酸钠溶液组成.溶流组成通过改变柠檬酸钠的浓度,铟和镓的沉积电位接近或等于铜和硒的沉积电位.Cu(In,Ga)Se2薄膜的性能研究分别采用扫描电镜自带能谱仪(EDS)、X射线衍射(XRD)和扫描电镜分析Cu(In,Ga)Se2薄膜的化学组成、晶体结构和表面形貌.结果表明当柠檬酸钠浓度为1.0M时,所制备的Cu(In,Ga)Se2薄膜为单一的黄铜矿结构,晶粒大小均匀.

关键词: Cu(In,Ga)Se2 , 薄膜 , 电沉积 , 柠檬酸钠 , 太阳能电池

电沉积制备CIS薄膜太阳能电池材料

李建庄 , 夏冬林 , 赵修建

材料导报

电沉积法制备CIS薄膜因具有可实现大面积制备,成本低,制备效率高以及污染小等优点而得到了重点研究,是最有应用前途的薄膜太阳能电池材料之一.概述了电沉积制备CIS薄膜太阳能电池材料的原理、制备工艺,同时介绍了CuInSe2薄膜太阳能电池材料的发展概况.

关键词: 电沉积 , CuInSe2 , 薄膜 , 太阳能电池

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