任丙彦
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刘晓平
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李彦林
,
王敏花
,
羊建坤
,
许颖
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2007.04.018
工作气压在ITO薄膜的制备过程中是一个重要的工艺参数,直接决定着薄膜的性能.本文利用射频磁控溅射方法,采用氧化铟锡陶瓷靶材,在衬底温度为175℃,工作气压范围为0.45～1.0 Pa条件下,制备了氧化铟锡透明导电薄膜.研究了工作气压对其微观结构、表面形貌和光电特性的影响.在衬底温度为175℃、纯氩气中制备的氧化铟锡薄膜电阻率为3.04 ×10-4 Ω·cm、可见光波段(400～800 nm)透过率为91.9%,适合用作异质结太阳电池的前电极和减反射膜.
关键词:
磁控溅射
,
ITO薄膜
,
溅射气压
,
低温
