刘延祥
,
夏冠群
,
唐绍裘
,
李志怀
,
程宗权
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.03.014
简单介绍了单层抗反膜的增透原理,并以Si片作为基片采用磁控溅射的方法制备了Al2O3、SiO2和ZrO2三种抗反膜.膜层的反射率测试结果表明:生长ZrO2膜后表面反射率下降可达30%;同时通过对GaInAsSb/GaSb PIN 红外探测器蒸镀抗反膜前后的器件的I-V特性及黑体探测率的测试表明:蒸镀ZrO2膜后GaInAsSb/GaSb PIN 红外探测器的黑体探测率平均提高了60.28%,远大于蒸镀Al2O3、SiO2后的48.91%和40.04%,说明ZrO2膜是一种较理想的单层抗反膜,使器件性能有所提高.
关键词:
抗反膜
,
GaInAsSb/GaSb
,
反射率I-V
,
黑体探测率
李志怀
,
夏冠群
,
程宗权
,
黄文奎
,
伍滨和
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.01.008
研究了 PIN结构 GaInAsSb 红外探测器的暗电流特性,建立了器件的 PSPICE模型.模拟结果 与实际测试结果基本符合.计算结果表明,器件表面和内部的缺馅及表面复合电流对器件的反向 特性起主要作用 ,当反向偏压大于 0.35V,缺陷引起的隧穿电流对器件暗电流起主要作用.
关键词:
GaInAsSb
,
红外探测器
,
PSPICE
