李忠吉
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刘辉
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高克玮
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乔利杰
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褚武扬
金属学报
根据反演法获得的对势和EAM多体势计算了纯Al位错发射的临界应力强度因子KIe以及Griffith裂纹解理扩展的临界应力强度因子KIG.结果表明,用对势算出的值和断裂力学计算结果更相近.因此,用对势来研究吸附的影响是可行的分子动力学模拟表明,Ga吸附在裂纹表面将使KIG=0.42 MPa•/ 降至KIG=0.32 MPa•/ m,这表明吸附使表面能γ降至γ*(=0.58γ).Ga吸附使KIe=0.31 MPa•/ 降至KIe=0.24 MPa/ ;Ga吸附使位错运动的临界分切应力从Tc=2.05MPa降至Tc=1.82 MPa.这就表明,Ga吸附后能降低Al的表面能,从而促进位错发射和运动.
关键词:
Al
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李忠吉
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李金许
金属学报
采用EAM多体势的分子动力学模拟表明。Ni中固溶的氢能使裂尖发射位错的临界应力强度因子KIe(θ＝45°）从1.00MPa•m^1/2降为0.90MPa•m^1/2;使KIe(θ=70°）从0.82MPa•m^1/2降为0.70MPa•m^1/2,即氢能促进位错的发射，另外，氢能使（111）滑移面上的Griffth)裂纹解理扩展的临界应力强度因子KIG(θ=0°）从1.03MPa•m^1/2降为0.93MPa•m^1/2，即氢使（111）面的表面能下降，γ^*111（H）＝0．82γ111,从而促进位错的发射，透射电镜（TEM）原位观察表明，在氢致裂纹形核之前氢就能促进位错的发射和运动.
关键词:
镍
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李忠吉
,
刘辉
,
高克玮
,
乔利杰
,
褚武扬
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2001.10.002
根据反演法获得的对势和EAM多体势计算了纯Al位错发射的临界应力强度因子KIe以及Griffith裂纹解理扩展的临界应力强度因子KIG.结果表明,用对势算出的值和断裂力学计算结果更相近.因此,用对势来研究吸附的影响是可行的分子动力学模拟表明,Ga吸附在裂纹表面将使KIG=0.42 MPa·/ 降至KIG=0.32 MPa·/ m,这表明吸附使表面能γ降至γ*(=0.58γ).Ga吸附使KIe=0.31 MPa·/ 降至KIe=0.24 MPa/ ;Ga吸附使位错运动的临界分切应力从Tc=2.05MPa降至Tc=1.82 MPa.这就表明,Ga吸附后能降低Al的表面能,从而促进位错发射和运动.
关键词:
Al,Ga,分子动力学模拟,位错发射、运动,裂纹解理
李忠吉
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李金许
,
褚武扬
,
王燕斌
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乔利杰
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2002.01.004
采用EAM多体势的分子动力学模拟表明,Ni中固溶的氢能使裂尖发射位错的临界应力强度因子KIe(θ=45°)从1.00 MPa@m1/2降为0.90 MPa@m1/2;使KIe(θ=70°)从0.82 MPa@m1/2降为0.70 MPa@m1/2,即氢能促进位错的发射.另外,氢能使(111)滑移面上的Griffith裂纹解理扩展的临界应力强度因子KIG(θ=0°)从1.03 MPa@m1/2降为0.93 MPa@m1/2,即氢使(111)面的表面能下降,γ*111(H)=0.82γ111,从而促进位错的发射.透射电镜(TEM)原位观察表明,在氢致裂纹形核之前氢就能促进位错的发射和运动.
关键词:
镍,分子动力学模拟,氢,位错发射、运动,TEM
