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Cu-Ti合金与H2O2直接氧化法制备Cu掺杂TiO2薄膜

王先飞 , 潘冶 , 吴继礼 , 李星洲

材料工程 doi:10.11868/j.issn.1001-4381.2016.01.004

以Cu-Ti合金为基体,采用含H2O2溶液直接氧化法制备Cu掺杂TiO2薄膜,利用扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)和X射线衍射仪(XRD)对薄膜形貌、化学成分和相组成进行分析.结果表明:所制薄膜通过溶解-沉积机理形成,合金表面先沉积Cu掺杂的非晶态TiO2薄膜,经空气中450℃热处理1h获得Cu掺杂的锐钛矿型晶态TiO2薄膜.含H2O2溶液中需加入一定量聚碳酸酯或聚乙烯乙酸酯,以促进非晶态TiO2在合金表面的沉积.所制薄膜对罗丹明B具有优异的光催化降解作用,在12W紫外光下照射4h后,Cu30Ti70合金表面形成的薄膜对罗丹明B溶液(20mg/L)的降解率达到31.7%.

关键词: TiO2 , 半导体薄膜 , 光催化 , 化学合成

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