李昭宁
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王六定
,
王小冬
,
席彩萍
,
沈中元
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赵景辉
,
吴宏景
人工晶体学报
本文利用第一性原理研究了化学掺杂(N和B)对Armchair石墨纳米带(AGNR)电子性质的影响.结果发现:N和B原子有不同的最佳掺杂位置,掺杂使AGNR分别成为n型或P型半导体.纳米带宽度不同时,掺杂对AGNR电子结构如能级、能隙、轨道分布等有不同影响.
关键词:
化学掺杂
,
石墨纳米带
,
第一性原理
王小冬
,
王六定
,
席彩萍
,
李昭宁
,
赵景辉
人工晶体学报
采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,以Ni为催化剂,在Si基底上沉积出定向性良好的碳纳米管.用扫描电镜表征了催化剂颗粒大小和相应的碳纳米管形貌.深入研究了催化剂膜厚对碳纳米管牛长的影响.结果表明:不同度的催化剂薄膜经刻蚀形成的颗粒密度、尺寸、分布等对碳纳米管的合成质量起主要作用.催化剂厚度≤5 nm时,形成的颗粒密度较小而且分布不均,制备的碳纳米管产量低、定向性差.催化剂厚度≥15 nm时,形成的颗粒较大,粘连在一起,生长时大部分被非晶碳包覆,几乎没有碳纳米管的生长.催化剂厚度为10 nm时,形成的颗粒密度大、分布较均,制备的碳纳米管纯度高、定向性好.
关键词:
碳纳米管
,
Ni薄膜
,
催化剂
,
膜厚
席彩萍
,
王六定
,
王小冬
,
李昭宁
人工晶体学报
采用等离子体增强化学气相沉积技术,以C2H2、H2和N2为反应气体,在镀Ni催化剂的Si基底上成功制备出多壁碳纳米管薄膜.采用扫描电镜研究了沉积温度对碳管形貌的影响,进一步通过扩散机制分析了多种形貌CNTs的生长机制.结果表明:沉积温度对催化剂的刻蚀和碳纳米管薄膜的形成起着决定作用,获得定向性良好、分布均匀、密度适中的碳纳米管的最佳温度是700℃.
关键词:
多壁碳纳米管
,
沉积温度
,
PECVD
李昭宁
,
赵新才
,
王伟平
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.02.008
使用基于密度泛函理论的第一性原理方法,计算研究了Fe掺杂CdTe的晶格结构与电磁性质变化.研究发现,掺杂体系的晶格常数与电子结构等随掺杂Fe原子的位置不同而异.通过能带结构与电子态密度的分析表明,不同占据位的Fe原子表现出迥异的电子能级分布、轨道杂化等,从而引起体系电子性质与原子磁矩的显著变化.其中,替代位与间隙位Fe杂质的原子磁矩分别为3.76和3.14玻尔磁子.这一研究对深入理解掺杂CdTe类稀磁半导体的物理性质有重要意义.
关键词:
碲化镉
,
铁掺杂
,
电子结构
,
第一性原理
