刘冠芳
,
周芳
,
李晓力
,
杜商安
绝缘材料
doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2008.05.011
研究了SiO2-B2O3-Bi2O3加入量、烧结温度对钛酸锶陶瓷电容器材料性能的影响.借助扫描电镜和宽频介电仪研究陶瓷的烧结过程及其介电性能.结果表明:SrTiO3和(Si,B,Bi)摩尔比为75:25,(Si,B,Bi)摩尔比为15:30:55的样品在1 250℃烧成表现出良好的高频介电性能,介电常数为355,介质损耗角正切值低于5×10-4.
关键词:
钛酸锶
,
Si-B-Bi-O
,
陶瓷
,
介电性能
刘冠芳
,
李晓力
,
周芳
,
杜商安
绝缘材料
doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2008.06.012
研究了不同的成型压力对钛酸锶陶瓷电容器介电性能的影响.借助扫描电镜和宽频介电测试仪研究陶瓷的微观结构及其介电性能.实验结果表明,当成型压力从5 MPa增加到6 MPa时,坯体的密度突然增大,6 MPa以后密度增加缓慢;1 380℃烧结后,成型压力为6 MPa时试样的介电性能最佳.
关键词:
成型压力
,
钛酸锶
,
陶瓷电容器
,
介电性能
