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基于正交试验的PECVD法沉积氮化硅薄膜工艺参数优化研究

吴晓松 , 褚学宁 , 李玉鹏

人工晶体学报

利用多响应正交试验方法研究了PECVD法沉积氮化硅薄膜的工艺参数的优化问题.鉴于目前针对多输出影响过程,尚无有效的方法进行工艺参数优化这一问题,利用综合评分法对衬底温度、气体总流量、NH3/SiH4流量比、反应腔气体压力、高频电场功率5个对氮化硅薄膜的主要质量特性影响较大的工艺参数进行全局优化,再对...

关键词: PECVD , 氮化硅薄膜 , 正交试验 , 工艺参数