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李瑞贞 , 李多力 , 杜寰 , 海潮和 , 韩郑生
功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.01.015
提出了一种简化的全耗尽SOI MOSFET阈值电压解析模型.该模型物理意义明确,形式简单,不需要非常复杂的计算.通过在不同条件下将本文的模拟结果和MEDICI模拟结果进行对比,验证了本模型的精确性.因此本模型对于器件物理特性的研究和工艺设计有很好的指导意义.
关键词: 全耗尽SOI MOSFET , 阈值电压 , 模型
李瑞贞 , 韩郑生
功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.01.016
提出了部分耗尽SOI MOSFET物理模型,SOI MOSFET可以看作体硅MOSFET和双极晶体管的结合,模型通过详细地分析SOI器件在各工作区域的工作机理得出,并提取出了相应的模型参数.用本模型得出的模拟数据与器件模拟数据进行了对比,取得了很好的一致性.
关键词: SOI MOSFET , 物理模型 , 参数提取
