李祥彪
,
施尔畏
,
陈之战
,
肖兵
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00238
采用物理气相传输法生长了Al掺杂和非掺杂的6H-SiC晶体, 测量了从室温到400℃的拉曼光谱. 由于晶体的热膨胀作用及光声子散射过程中的衰减, 导致两种样品的拉曼谱峰均向低波数移动, 并且发生展宽. 随着温度升高, Al掺杂样品中的等离子体激元增加, 使得样品中自由载流子浓度增大, 由于纵向声子与等离子体激元和自由载流子之间存在很强的耦合交互作用, 导致Al掺杂样品的A1模强度显著降低而非掺杂样品几乎不变. 通过拉曼光谱与霍耳效应测量, 从理论和实验上分析了Al在高温下的激活行为及对自由载流子的贡献.
关键词:
碳化硅单晶
,
high temperature Raman spectra
,
doping
,
free carrier
严成锋
,
施尔畏
,
陈之战
,
李祥彪
,
肖兵
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00425
选用钒掺杂浓度为0.2at％的高质量6H-SiC晶体, 电阻率为7.0×108Ω·cm, 研制出超快大功率SiC光导开关. 在脉冲宽度为20ns的光源激发下, 分别测试了在不同的偏置电压和光能条件下开关的电脉冲输出特性. 结果表明: 1mm电极间隙的SiC开关器件的性能优越, 耐偏压高, 光导电脉冲的上升时间快(6.8ns), 脉宽<20ns, 稳定性好. 负载为40Ω的电阻上输出线性电脉冲电压随开关的偏置电压和光强增大而增大, 在2.5kV的偏置电压, 最大瞬时电流约为57.5A, 瞬时功率高达132kW.
关键词:
碳化硅
,
vanadium-doped
,
semiinsulating
,
photoconductive semiconductor switches
李祥彪
,
施尔畏
,
陈之战
,
肖兵
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.02.007
采用物理气相传输法生长了Al掺杂和非掺杂的6H-SiC晶体,测量了从室温到400℃的拉曼光谱.由于晶体的热膨胀作用及光声子散射过程中的衰减,导致两种样品的拉曼谱峰均向低波数移动,并且发生展宽.随着温度升高,Al掺杂样品中的等离子体激元增加,使得样品中自由载流子浓度增大,由于纵向声子与等离子体激元和自由载流子之间存在很强的耦合交互作用,导致Al掺杂样品的Ai模强度显著降低而非掺杂样品几乎不变.通过拉曼光谱与霍耳效应测量,从理论和实验上分析了Al在高温下的激活行为及对自由载流子的贡献.
关键词:
碳化硅单晶
,
变温拉曼光谱
,
掺杂
,
自由载流子
严成锋
,
施尔畏
,
陈之战
,
李祥彪
,
肖兵
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.03.002
选用钒掺杂浓度为0.2at%的高质量6H-SiC晶体,电阻率为7.0x108>Ω·cm,研制出超快大功率SiC光导开关.在脉冲宽度为20ns的光源激发下,分别测试了在不同的偏置电压和光能条件下开关的电脉冲输出特性.结果表明:1mm电极间隙的SiC开关器件的性能优越,耐偏压高,光导电脉冲的上升时间快(6.8ns),脉宽<20ns,稳定性好.负载为40Ω的电阻上输出线性电脉冲电压随开关的偏置电压和光强增大而增大,在2.5kV的偏置电压下,最大瞬时电流约为57.5A,瞬时功率高达132kW.
关键词:
碳化硅
,
钒掺杂
,
半绝缘
,
光导开关
