王应民
,
杜楠
,
孙云
,
张萌
,
蔡莉
,
李禾
,
程国安
,
徐飞
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.03.009
利用薄膜分析系统测量不同沉积时间制备的ZnS薄膜透射谱,通过分析薄膜透射谱,来确定ZnS薄膜光学常数和禁带宽度.实验结果表明,在线性生长阶段,薄膜的沉积速率大约为1 nm/min,具有很好的线性关系,沉积0.5 h的ZnS薄膜在可见光范围内光透过率为82%左右.
关键词:
化学水浴沉积法
,
ZnS薄膜
,
消光系数
,
禁带宽度
王应民
,
杜楠
,
蔡莉
,
李禾
,
程国安
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2007.11.017
使用薄膜分析系统研究在不同衬底温度下生长的硅基ZnO薄膜反射谱,了解衬底温度对薄膜的结晶状况影响.研究结果表明,随衬底温度的升高,晶粒之间融合长大,薄膜的折射率增大;在衬底温度450℃时生长的ZnO薄膜,薄膜的折射率最大为4.2,反射谱的吸收边更接近380nm,在520nm处有一个弱的吸收峰,与ZnO薄膜的PL谱测试结果一致.再升高衬底温度,晶粒会出现异常长大,晶粒排布将受到影响,导致薄膜折射率下降.
关键词:
Si(111)
,
ZnO薄膜
,
等离子增强化学气相沉积
,
反射光谱
张宇轩
,
李禾
,
王闯
,
彭宗仁
,
刘鹏
绝缘材料
doi:10.16790/j.cnki.1009-9239.im.2017.01.005
采用原始多壁碳纳米管(R-MWCNT)通过混酸法制备了羧基功能化多壁碳纳米管(C-MWCNT),然后制得碳纳米管/环氧树脂(MWCNT/EP)复合材料,并研究了其电导性能.结果表明:在一定温度与场强下,多壁碳纳米管含量相同时,C-MWCNT/EP的体积电阻率比R-MWCNT/EP高8~11个数量级;R-MWCNT/EP的渗流阈值约为0.03%,而C-MWCNT/EP未出现渗流现象;R-MWCNT/EP的电流密度-场强(J-E)曲线呈现明显的非线性变化,符合场致发射特征.混酸功能化前后复合材料的介电性能变化较大,该方法主要通过切断碳纳米管并改变碳纳米管与基体的界面性质从而影响复合材料的介电性能.
关键词:
多壁碳纳米管
,
功能化
,
环氧树脂
,
渗流阈值
,
非线性电导
李禾
,
王闯
,
李磊
,
郭子豪
,
彭宗仁
,
刘军宇
绝缘材料
doi:10.16790/j.cnki.1009-9239.im.2017.02.001
在甲苯溶剂中通过预先接枝在SiO2粒子上的硅烷偶联剂二次接枝环氧链段的方法,制备了接枝环氧链段的SiO2粒子.采用不同偶联剂处理方式制备了3种SiO2添加量为1份的SiO2/环氧树脂纳米复合材料,对纳米粒子进行了红外光谱(FT-IR)、热重分析(TGA)和透射电镜(TEM)表征,测试了复合材料的热力学性能及介电性能.结果表明:偶联剂可起到桥接作用,将环氧链段接枝到SiO2粒子上,改善了纳米粒子的团聚现象.接枝后的SiO2粒子表面与树脂基体有良好的相容性.接枝改性后的SiO2/环氧树脂复合材料的储能模量大幅提高,冲击强度提高了11.9%,玻璃化转变温度变化不大,SiO2对复合材料的复介电常数实部和虚部有不同程度的影响.相比不使用偶联剂或直接在复合体系中添加偶联剂的方法,通过偶联剂在SiO2粒子表面接枝环氧树脂能有效降低复合材料复介电常数的实部和虚部.
关键词:
环氧树脂
,
二氧化硅
,
硅烷偶联剂
,
接枝
,
纳米复合材料
邓蓉英
,
李禾
,
于桂清
金属学报
本文用三点弯曲试样测定15MnVN钢在淬火和200℃低温回火状态下疲劳裂纹扩展速率。试验在循环载荷比R=0.5的恒幅条件下进行,并利用金属塑性变形在光滑表面上产生浮凸的现象,用相衬显微镜测定裂纹顶端单调塑性区尺寸。在平面应力状态下垂直于裂纹面方向的单调塑性区尺寸与相应的(K_(max)/σ_s)~2成正比,其比例系数为0.21。根据Rice循环塑性区尺寸与单调塑性区尺寸关系,得到垂直裂纹面方向的循环塑性区尺寸与相应裂纹扩展速率之间为一指数关系。 在裂纹扩展过程中,相对裂纹尺寸a/W约等于0.687时裂纹顶端从小范围屈服进入大范围屈服;a/W<0.687裂纹顶端的塑性变形约在θ=30—60°方向角内向两翼伸展;当a/W>0.687,不仅两翼向更大的θ角展开,而且在θ=0°附近塑性变形也有相当发展。 金相和扫描电镜观察结果,具有板条状马氏体组织的15MnVN钢疲劳裂纹扩展是以穿晶型的解理开裂方式进行的,是一种再生核扩展机制。
关键词:
邓蓉英
,
于桂清
,
李禾
金属学报
<正> 以往的研究结果表明,晶粒尺寸不仅影响材料的门坎值,而且也与常规机械性能特别是强度指标有一定的关系。为了解材料的门坎值、晶粒尺寸和强度之间的关系,本工作以奥氏体不锈钢为研究对象试图探索这一关系,同时用浮凸法研究晶粒尺寸对门坎值和低速扩展中裂纹顶端塑性变形的影响。
关键词: