李卫青
,
顾广瑞
,
李英爱
,
何志
,
冯伟
,
刘丽华
,
赵春红
,
赵永年
功能材料
用RF磁控溅射的方法在最佳沉积条件下在Si(100)基底上沉积了纳米氮化硼薄膜,然后对薄膜在真空度低于5×10-4Pa、温度分别为800℃和1000℃条件下进行了表面热处理,分别用红外光谱、原子力显微镜以及不同退火温度的场发射试验对薄膜进行了研究,结果表明表面热处理对BN薄膜的表面形貌没有明显影响,样品场发射特性的变化可能与表面负电子亲和势有关,未进行热处理的样品阈值电场较低,可能归因于表面负电子亲和势效应,阈值电场为8V/μm,发射电流为80μA,热处理温度为800℃时,负电子亲和势仍然存在,直到热处理温度达到1000℃时,表面负电子亲和势才消失.
关键词:
氮化硼薄膜
,
表面热处理
,
场发射
,
发射电流
,
阈值电场
杨大鹏
,
赵永年
,
李英爱
,
苏作鹏
,
杜勇慧
,
吉晓瑞
,
杨旭昕
,
宫希亮
,
张铁臣
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.011
本文用射频磁控溅射方法在片状c-BN晶体基底上生长了c-BN薄膜,显微拉曼光谱(μ-RS)和扫描电子显微镜(SEM)测试结果表明:沉积的薄膜是大约10μm厚、高结晶性、电子透明的高纯c-BN薄膜.岛状和层状生长模式在试验中清晰的展示出来.同时在生长的c-BN薄膜内部和被遮盖的基底部分上发现了籽晶.
关键词:
高结晶度
,
生长速率
,
生长模式
李卫青
,
顾广瑞
,
李英爱
,
何志
,
冯伟
,
刘丽华
,
赵春红
,
赵永年
功能材料
用RF磁控溅射的方法在Si(100)基底上沉积了纳米氮化硼薄膜,然后分别用氢、氧等离子体对薄膜表面进行了处理,用红外光谱、原子力显微镜、光电子能谱以及场发射试验对薄膜进行了研究,结果表明氢等离子体使BN薄膜表面NEA增加,阈值电场降低,发射电流明显增大.氧等离子体处理对BN薄膜的场发射特性影响不大,只是发射电流略有降低,这只能是由于氧化层存在的原因.
关键词:
氮化硼薄膜
,
场发射
,
表面处理
,
阈值电场
,
发射电流
顾广瑞
,
李英爱
,
陶艳春
,
何志
,
殷红
,
李卫青
,
赵永年
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2003.01.003
利用射频磁控溅射方法,在n型(100)Si基底上沉积了不同厚度(54～135nm)的纳米氮化硼(BN)薄膜.红外光谱分析表明,BN薄膜结构为六角BN(h-BN)相(1 380cm-1和780cm-1).在超高真空系统中测量了不同膜厚BN薄膜的场发射特性,发现BN薄膜的场发射特性与膜厚关系很大,阈值电场随着厚度的增加而增大.由于BN薄膜和Si基底界面间存在功函数差,使得Si基底中电子转移到BN薄膜的导带,在外电场作用下隧穿BN表面势垒,发射到真空.
关键词:
纳米氮化硼薄膜
,
场发射
,
厚度
,
功函数
顾广瑞
,
金逢锡
,
李全军
,
盖同祥
,
李英爱
,
赵永年
功能材料
利用射频磁控溅射方法,在n型(100)Si基底上沉积了氮化硼(BN)薄膜,红外光谱测试表明,所有样品为六角氮化硼(h-BN)结构.经过氢、氧等离子体处理之后,在超高真空系统中测量了BN薄膜的场发射特性.实验结果表明,经过氢等离子体处理后BN薄膜的场发射开启电场明显降低,发射电流明显升高;而氧等离子体处理前后对h-BN薄膜的场发射特性影响不大,只是发射电流略有降低.不同样品的Fowler-Nordheim(F-N)曲线均为直线,表明电子发射是通过隧穿BN表面势垒发射到真空.
关键词:
氮化硼薄膜
,
场发射
,
氢等离子体
,
氧等离子体
顾广瑞
,
李英爱
,
陶艳春
,
何志
,
赵永年
无机材料学报
研究了在纳米厚度范围内,TiO2薄膜的导电性与薄膜厚度和基底材料的关系.利用射频磁控溅射方法,使用高纯Ti(99.99％)靶,通入Ar和O2的混合气体,制备了TiO2薄膜,薄膜膜厚15～225nm.在室温下测量了不同厚度TiO2薄膜的电阻率,发现TiO2薄膜的导电性,先后在导体、半导体和绝缘体范围变化.这归因于基底材料与TiO2的功函数不同,导致了界面电子的转移,功函数差决定了电子转移的深度.
关键词:
TiO2薄膜
,
conductivity
,
resistivity
,
transfer of electrons
顾广瑞
,
李英爱
,
陶艳春
,
何志
,
赵永年
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2003.06.040
研究了在纳米厚度范围内,TiO2薄膜的导电性与薄膜厚度和基底材料的关系.利用射频磁控溅射方法,使用高纯Ti(99.99%)靶,通入Ar和O2的混合气体,制备了TiO2薄膜,薄膜膜厚15～225nm在室温下测量了不同厚度TiO2薄膜的电阻率,发现TiO2薄膜的导电性,先后在导体、半导体和绝缘体范围变化.这归因于基底材料与TiO2的功函数不同,导致了界面电子的转移,功函数差决定了电子转移的深度.
关键词:
TiO2薄膜
,
导电性
,
电阻率
,
界面电子转移
顾广瑞
,
何志
,
李英爱
,
王翠
,
冯伟
,
赵永年
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2002.01.008
研究了氮化硼(BN)薄膜的场发射特性与不同基底偏压和不同膜厚的关系.在磁控溅射反应器中,使用高纯六角氮化硼(h-BN)靶,通入Ar和N2的混合气体,制备出了纳米BN薄膜.溅射是在基底加热470℃和总压力为1.2Pa的条件下进行的.在超高真空系统中测量了不同膜厚和不同基底偏压的BN薄膜的场发射特性,发现BN薄膜的场发射特性与基板偏压和膜厚关系很大.
关键词:
BN薄膜
,
场发射
,
偏压
李英爱
,
刘立华
,
何志
,
杨大鹏
,
马红梅
,
赵永年
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.04.016
采用射频磁控溅射方法,在n型(100)Si基底上沉积了不同厚度(20～150 nm)纤锌矿结构的纳米AlN薄膜.在超高真空系统中测量了不同膜厚样品的场发射特性,发现阈值电场随着厚度的增加有增大的趋势.厚度为44 nm的AlN薄膜样品具有最低的阈值电场(10 V/μm),当外加电场为35 V/μm时,最高发射电流密度为284 μA/cm2.AlN薄膜场发射F-N曲线表明,在外加电场作用下,电子隧穿了AlN薄膜表面势垒发射到真空.
关键词:
氮化铝薄膜
,
场发射特性
,
厚度
刘智超
,
李英爱
,
王静
,
顾广瑞
,
吴宝嘉
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20122703.0297
利用微波等离子体化学气相沉积法,在Si(100)衬底上制备了碳纳米球薄膜.利用拉曼光谱和场发射扫描电子显微镜研究了薄膜的结构以及表面形貌,表明碳纳米球薄膜是由约2～3μm长、100 nm宽的无定形碳纳米片相互缠绕、交织成球状而构成的.在高真空系统中测量了碳纳米球薄膜的场发射特性,结果表明,碳纳米球薄膜具有良好的场发射特性,阈值电场为3.1 V/μm,当电场增加到10 V/μm时,薄膜的场发射电流密度可达到60.7 mA/cm2.通过三区域电场模型合理地解释了碳纳米球薄膜在低电场、中间电场和高电场区域的场发射特性.
关键词:
微波等离子体化学气相沉积
,
碳纳米球薄膜
,
场发射
