刘传珍
,
杨柏梁
,
张玉
,
李牧菊
,
吴渊
,
廖燕平
,
王大海
,
邱法斌
,
李轶华
,
黄锡珉
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2000.04.002
利用金属诱导晶化（Metal Induced Crystallization， MIC）的方法研究了a-Si/Ni的低温晶化， MIC的晶化温度降低到440℃。采用XRD、 Raman、 SEM和XPS等手段研究了Ni-MIC多晶硅薄膜的特性，分析了薄膜结构和组成，讨论了晶化过程的机理。
关键词:
金属诱导晶化
,
多晶硅薄膜
,
退火
刘传珍
,
杨柏梁
,
李牧菊
,
吴渊
,
张玉
,
李轶华
,
邱法斌
,
黄锡珉
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2000.01.008
利用激光退火的方式在低温下制备多晶硅薄膜,采用xRD、sEM等分析手段,进行了表征分析.对晶化的罔值能量密度进行了计算.并对激光退火的机理进行了探讨.研究结果表明:a-Si晶化的阈值能量密度与薄膜的厚度无关,在晶化区内,晶粒尺寸的大小随着照射到薄膜表面的激光能量密度的增加而增加.
关键词:
p-si薄膜
,
激光退火
,
能量密度
王大海
,
李轶华
,
孙艳
,
吴渊
,
陈国军
,
王国柱
,
荆海
,
万春明
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2002.01.011
对多晶硅薄膜晶体管器件工艺中的反应性离子刻蚀技术进行研究,给出了Ta、 p-Si等多晶硅薄膜晶体管器件中常见薄膜的刻蚀速率,通过工艺参数的优化,使薄膜间的选择比在2～20可选择;并通过气体掺杂,实现了SiNx对p-Si的选择比从-1到2的反转.
关键词:
多晶硅薄膜晶体管
,
反应性离子刻蚀
,
刻蚀速率
,
选择比
