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检索条件:作者=李述体  

  • 论文(15)

一个实用的生产用Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料Turbo-Disc MOCVD生长模型

王浩 , 廖常俊 , 范广涵 , 刘颂豪 , 郑树文 , 李述体 , 郭志友 , 孙慧卿 , 陈贵楚 , 陈炼辉 , 吴文光 , 李华兵

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.04.018

在MOCVD质量控制生长模式下,通过分析Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料在衬底表面的反应过程,建立了一个实用的生长模型.此模型是基于分子动力学、化学反应热力学理论分析之上的.针对Turbo-Disc 反应体系,分析了Turbo-Disc 的传热以及质量传送模式后, 建立了Turbo-Disc的生长模型.在此...

关键词: MOCVD , Turbo-Disc , 生长动力学 , GaInP

多层GaAlInP半导体发光材料的双晶衍射分析与拟合

王浩 , 廖常俊 , 范广涵 , 刘颂豪 , 郑树文 , 李述体 , 郭志友 , 孙慧卿 , 陈贵楚 , 陈炼辉 , 吴文光 , 李华兵

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.01.021

应用双晶衍射仪对MOCVD外延生长所得到的一个GaAlInP双异质结(DH)的单晶多层结构进行测试与分析.应用双晶衍射的动力学理论模拟此样品的摇摆曲线,并结合界面的融合、晶格崎变与缺陷的散射来解释测试结果.对衍射谱的展宽提供了合理的解释,比较肯定地确定了此样品的结构与晶体质量.涉及缺陷对衍射FWHM...

关键词: MOCVD , 双晶衍射 , GaAlInP , 拟合

应用原子层外延技术分析Turbo-Disk MOCVD 外延生长模式

王浩 , 廖常俊 , 范广涵 , 刘颂豪 , 郑树文 , 李述体 , 郭志友 , 孙慧卿 , 陈贵楚 , 陈炼辉

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.02.012

应用原子层外延与分子层外延的理论研究了Turbo-Disk MOCVD外延生长过程,发现生长主要发生在衬底表面的台阶处,当通过控制生长参数达到优质外延时,实际上是一种亚原子外延过程,优化调整反应参数实现了优质外延.

关键词: 原子层外延 , MOCVD , 亚原子外延

温度对SiO2光子晶体模板中生长InP的影响

常伟 , 范广涵 , 谭春华 , 李述体 , 雷勇 , 黄琨 , 郑品棋 , 陈宇彬

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2006.06.025

制备了人工欧泊SiO2光子晶体模板并运用有机金属化学气相沉积(MOCVD)技术在SiO2光子晶体模板中生长填充了InP晶体.实验研究了不同成核温度(300℃,350℃,400℃)对于生长填充InP的影响.扫描电镜和反射谱分析结果显示,温度对于InP在SiO2光子晶体模板中的生长有重要影响.随着成核温...

关键词: 光电子学 , 有机金属化学气相沉积 , 光子晶体 , 人工欧泊 , 温度

掺Si对MOCVD生长的GaN单晶膜的黄带发射及生长速率的影响

李述体 , 莫春兰 , 李鹏 , 王立 , 熊传兵 , 彭学新 , 江风益

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.022

对MOCVD生长GaN:Si薄膜进行了研究,研究表明随SiH4/TMGa流量比增大,GaN:Si单晶膜的电子浓度增大,迁移率下降,X射线双晶衍射峰半高宽增加,同时带边发射强度得到了大大的提高,并报导了随SiH4/TMGa流量比增大,GaN:Si的生长速率降低的现象.研究结果还表明,预反应对GaN:S...

关键词: MOCVD , GaN:Si , 光致发光

扫描电镜用于人工蛋白石模板中填充InP的形貌研究

谭春华 , 范广涵 , 许静 , 李述体 , 周天明 , 龙永福 , 孙慧卿

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.01.014

扫描电子显微镜是对人工欧泊光子晶体进行形貌观察、研究的重要手段.本文利用扫描电子显微镜对人工欧泊晶体及其填充InP后的形貌进行了分析.结果发现,二氧化硅微球短程有序而在较大的区域则出现台阶、空位和失配等缺陷;在选定生长条件下,InP在SiO2球空隙间具有较高的填充率和较好的结晶质量.此项研究为制备三...

关键词: 人工欧泊 , 光子晶体 , 有机金属化学气相沉积 , 扫描电子显微镜

InN材料及器件的最新研究进展

丁少锋 , 范广涵 , 李述体 , 郑树文 , 陈琨

材料导报

InN材料是性能优良的Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料,在光电子领域有着非常重要的应用价值,由此成为最近国际国内研究的热点.就InN材料的制备方法、p型掺杂、电学特性、光学特性、器件的研究应用以及国内研究的最新进展进行了综述.

关键词: InN , 特性 , 应用 , 进展

BexZn1-xO合金和Mg掺杂BexZn1-xO合金特性的理论研究

丁少锋 , 范广涵 , 李述体 , 陈琨 , 肖冰

功能材料

利用基于密度泛函理论的平面波超软赝势法研究了对16个原子的BenZn8-nO8和Mg1BenZn7-nO8超胞进行了几何结构优化,计算了总能.从理论上给出了BeO的能带结构、态密度;BexZn1-xO合金的晶格常数、能带弯曲系数,差分电荷密度;BexZn1-xO合金的稳定性以及Mg掺杂BexZn1-...

关键词: BeZnO , 密度范函 , Mg掺杂 , 第一性原理

基于双蓝光有源区激发YAG:Ce荧光粉的高显色性白光LED

石培培 , 严启荣 , 李述体 , 章勇

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2012.03.014

在(0001)蓝宝石衬底上利用金属有机化学气相沉积系统,分别生长含有p- AlGaN电子阻挡层和反对称n - AlGaN层的双蓝光波长发射的InGaN/GaN混合多量子阱发光二极管(LED).结果发现,与传统的具有p-AlGaN电子阻挡层的双蓝光波长LED相比,这种n- AlGaN层能有效改善电子和...

关键词: n-AlGaN , p-AlGaN , 混合量子阱 , 双蓝光波长 , 显色指数

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