孙雷
,
沈鸿烈
,
李金泽
,
吴天如
,
丁古巧
,
朱云
,
谢晓明
人工晶体学报
以CH4为气态碳源,不同组分的In基合金为衬底,用CVD法进行石墨烯生长的研究结果.用光学显微镜,拉曼光谱,场发射扫描电镜对生长的薄层进行了表征.结果显示在熔融态金属Cu-In合金上成功制备了石墨烯薄膜,“表面催化”型金属Cu的加入In使金属表面形核点增多,合金表面石墨烯的生长速度提高,但石墨烯质量下降;“溶解析出”型金属Ni与低熔点金属In组成的合金催化性能有明显的增强,在极短的时间内堆积成石墨“块”;金属Sn不具备明显的催化生长石墨烯的能力,导致了Sn-In合金衬底上石墨烯的生长与纯In类似,Sn的影响作用较弱.
关键词:
石墨烯
,
Cu-In合金
,
化学气相沉积
焦静
,
沈鸿烈
,
李金泽
人工晶体学报
采用氯化镉,氯化锌,硫脲,柠檬酸钠和氨水构成的溶液体系通过化学浴沉积法合成CdxZn1-xS薄膜,采用SEM、EDS、XRD和紫外可见近红外分光光度计等表征手段研究了CdxZn1-xS薄膜的形貌、组分、相结构和光学性能,测试了薄膜的光电流响应曲线进而对薄膜的光电性能进行了分析.结果表明,在65 ～ 85℃水浴温度下均可以制备CdxZn1-xS薄膜,随着水浴温度升高,薄膜中Zn的原子比例相对增加,光学带隙增大;制备的薄膜均显示了明显的光电导现象.75℃制备的薄膜的表面最为平整致密,结晶性最好,光学带隙为2.72 eV,光暗电导比为1.20;光源关闭后电流下降过程最快,关闭10 s后电流下降了约69.39％.
关键词:
化学浴沉积
,
CdxZn1-xS薄膜
,
光电流响应
,
光电导
