肖立娟
,
李长山
,
郝嘉伟
,
赵鹤平
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2012.02.009
本文采用射频反应磁控溅射法在玻璃基底上分别以Al2O3和AZO为缓冲层制备ZnO:Al (AZO)薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、紫外-可见分光光度计等方法对薄膜的结构和光电性能进行表征.XRD和SEM的分析结果表明,在Al2O3和AZO缓冲层上生长的AZO薄膜均具有较好的C轴择优取向,薄膜表面光滑平整,薄膜的结晶质量得到改善;透射光谱表明所有样品在可见光范围内的透过率均超过80％;薄膜的导电性能得到提高.
关键词:
AZO薄膜
,
缓冲层
,
晶体结构
,
光电性能
