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反应磁控溅射制备的Cr-N薄膜的成相行为

赵韦人 , 李鸣楚 , 伍锦添 , 於元炯

金属功能材料 doi:10.3969/j.issn.1005-8192.2004.04.007

采用反应磁控溅射在不锈钢衬底上制备Cr-N薄膜,并研究了基片温度、氮气分压和溅射功率变化对薄膜相组成的影响.结果表明,基片温度升高使薄膜由单一的CrN相变成CrN和Cr2N两相共存,同时使有效的沉积速率下降;在基片温度为373K、溅射功率约45W时,氮气和氩气流量比在1:4到3:2的范围内变化时,薄膜的相组成几乎没有明显的变化;过高的溅射功率使薄膜以非晶态的形式存在.热处理后的Cr-N薄膜通常有CrN和Cr2N两相共存.

关键词: 反应磁控溅射 , Cr-N薄膜 , X射线衍射 ,

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