马艳
,
杜国同
,
杨树人
,
李正庭
,
李万成
,
杨天鹏
,
张源涛
,
赵佰军
,
杨小天
,
刘大力
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.02.005
采用低压MOCVD方法,在(0001)Al2O3衬底上沉积了ZnO薄膜.研究了Ⅵ族源O2气流量的变化对薄膜结构、表面形貌及光致发光特性的影响.增加O2气流量,ZnO薄膜结晶质量有所降低,半高宽从0.20°展宽至0.30°,由单一c轴取向变成无取向薄膜.同时,生成的柱状晶粒平均尺寸减少,晶粒更加均匀,均方根粗糙度减小.PL谱分析表明:随O2气流量加大,带边峰明显增强,深能级峰明显减弱,ZnO薄膜光学质量提高.这些事实说明:在本实验条件下,采用低压MOCVD方法生长的ZnO薄膜在光致发光特性主要依赖于Zn、O组份配比,而不是薄膜的微观结构质量.
关键词:
ZnO薄膜
,
MOCVD
,
PL谱
张源涛
,
崔勇国
,
张宝林
,
朱慧超
,
李万成
,
常遇春
,
杨树人
,
杜国同
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.032
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在p型Si(100)衬底上生长未掺杂的n型ZnO薄膜.在不同的生长温度下,c轴取向ZnO薄膜被生长在Si衬底上,生长所采用的锌源为二乙基锌(DEZn),氧源为氧气(O2).通过X射线衍射(XRD)、光电子能谱(XPS)和荧光光(PL)谱研究了薄膜的结构和光学特性.研究表明温度为610℃时生长的ZnO薄膜显示最好的结构和光学特性.此外,所生长n-ZnO/p-Si异质结的I-V特性曲线都表现明显的整流特性,且反向漏电流很小.在620℃生长的异质结的漏电流相对最大,大于在其它温度下生长的异质结的漏电流.
关键词:
ZnO薄膜
,
Si衬底
,
PL谱
,
异质结
王金忠
,
王新强
,
闫玮
,
殷宗友
,
马燕
,
姜秀英
,
杨树人
,
高鼎三
,
杜国同
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.02.005
在不同温度下,利用射频等离子体增强型MOCVD系统,在蓝宝石C面上生长出了C轴单一取向的ZnO薄膜,并通过XRD、SEM手段对生长温度与样品的生长速度、表面结构和氧锌原子化学计量比的关系作了较为详细的研究,优化了薄膜的温度生长参数.当生长温度为520oC时,ZnO薄膜的生长速度最大且表面粗糙度较低.当温度为550oC时,可生长出O:Zn为49.99:50:01的近本征ZnO薄膜.
关键词:
XRD
,
SEM
,
化学计量比
,
ZnO
刘博阳
,
杜国同
,
杨小天
,
赵佰军
,
张源涛
,
高锦岳
,
刘大力
,
杨树人
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.02.005
介绍了氧化锌材料的一些突出特性以及生长氧化锌的方法.并通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法制备了优良的氧化锌薄膜.使用X射线衍射(XRD)谱和室温光致发光(PL)光谱对所生长氧化锌薄膜的晶体质量和光学特性进行了研究. X射线衍射谱图显示仅在2θ=34.72 °处有一个很陡峭的ZnO (002) 晶面衍射峰,说明所制备的氧化锌薄膜c轴取向高度一致.此衍射峰的半高宽为0.282 °,显示出较好的晶体质量.在室温光致发光谱中, 薄膜的紫外发光强度与深能级复合发光的强度比超过10∶1,表明薄膜的光学质量较高.
关键词:
氧化锌
,
金属有机化学气相沉积
,
薄膜
,
生长
王超
,
杨小天
,
唐魏
,
赵春雷
,
杨佳
,
高晓红
,
李香萍
,
高忠民
,
杜国同
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2009.05.009
氧化锌薄膜通过金属有机化学气相沉积方法生长在康宁玻璃与α-蓝宝石衬底上,研究了有关薄膜的生长质量与发光特性.通过X光衍射方法测试研究发现,不仅在以α-蓝宝石为衬底的样品中,同时,在以玻璃为衬底的样品中都发现了氧化锌(0 0 2)方向生长的尖峰,表明生长在两种衬底上的样品都是高度的C向生长.对两种样品的荧光谱研究发现,两者的紫外峰位于374 nm附近,在以α-蓝宝石为衬底的样品中,有深能级发射,但在以玻璃为衬底的样品中没有发现,表明在玻璃衬底上我们生长出了高质量的氧化锌薄膜.通过原子力显微镜,对生长在两种衬底上薄膜的表面形貌做了观察,其晶粒的大小与表面粗糙度有一定的差别,表明二者都是以柱状形式生长的.
关键词:
氧化锌
,
薄膜
,
生长
,
MOCVD
王金忠
,
王新强
,
王剑刚
,
姜秀英
,
杨树人
,
杜国同
,
高鼎三
,
功能材料
用等离子体辅助MOCVD法在蓝宝石(α-A12O3)上生长了ZnO薄膜,测试了其退火和未退火薄膜的电阻率、电子浓度、迁移率、激光阈值,并通过X光衍射、光致发光方法表征了ZnO薄膜的质量,其结果是:退火薄膜的电子浓度低达1015/cm3量级、激光阈值降低近30倍、X光衍射峰半高宽是0.29°、在388nm附近的光致发光谱峰半高宽为0.32nm.这表明退火使ZnO薄膜的质量得到大幅度提高.
关键词:
等离子体辅助MOCVD
,
X光衍射
,
光致发光
,
激光阈值
王新胜
,
杨天鹏
,
刘维峰
,
徐艺滨
,
梁红伟
,
常玉春
,
杜国同
材料导报
ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族宽带隙半导体,具有很多优异的的光电性能.但一般制备出的ZnO薄膜材料均是n型,很难实现p型的掺杂.ZnO的p型掺杂是实现其光电器件应用的关键技术,也是目前ZnO研究的关键课题.目前在p型ZnO的掺杂理论和实验方面都有很大的进展,对此进行了详细的分析与论述,并且展望了p型ZnO薄膜制备的前景.
关键词:
ZnO薄膜
,
p型掺杂
,
第一性原理
,
MOCVD
,
MBE
崔勇国
,
张源涛
,
朱慧超
,
张宝林
,
李万程
,
杜国同
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.035
采用金属有机化学汽相沉积生长法(MOCVD),在不同的衬底表面处理条件和生长温度下,在GaAs衬底上生长出了ZnO薄膜.随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的ZnO(100)和ZnO(002)薄膜.该薄膜的晶体结构特性是由X光衍射谱仪(XRD)所获得的,而其光学特性是由光荧光谱仪(PL)来测的.与ZnO(002)相比,ZnO(100)薄膜具有更优越的晶体结构特性,并且在同样的生长温度下都具有相似的光学特性.对于腐蚀条件不同的GaAs衬底所进行的XPS分析结果表明,ZnO薄膜优先定位变化的主要原因在于腐蚀过程中形成的富As层.
关键词:
金属有机化学汽相沉积
,
ZnO薄膜
,
半导体材料
殷景志
,
王新强
,
李献杰
,
杜国同
,
张树人
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.005
采用LP-MOVPE技术,在(001)InP衬底上生长的InAs /InP自组装量子点是无序的.为了解决这个问题,在InP衬底上先生长张应变的GaAs层,然后再生长InAs层,可得到有序化排列的量子点.本文对张应变GaAs层引入使量子点有序化排列的机理进行了分析.为生长有序化、高密度、均匀性好自组装量子点提供了依据.
关键词:
自组装量子点
,
有序生长
,
张应变GaAs层
