杜江锋
,
赵金霞
,
于奇
,
杨谟华
材料导报
采用X射线光谱R(XPS)和椭偏测试仪(SE)对GaN材料干氧氧化所得氧化物薄膜的组分、厚度、光学常数等物理特性进行了研究.当氧化温度为900℃、氧化时间为15～240min时,XPS测试结果表明,所得氧化物类型为Ga_2O_3,且由于大量O空位的存在,其表面Ga/O比率约为1.2.SE测试结果表明...
关键词:
GaN
,
热氧化
,
Ga_2O_3
,
XPS
,
SE
杜江锋
,
赵金霞
,
罗谦
,
于奇
,
夏建新
,
杨谟华
功能材料
对InN/GaN/Al2O3和Ga2O3/GaN/Al2O3多层膜结构进行了椭圆偏振光谱研究.所有GaN样品均采用MOCVD工艺在蓝宝石(Al2O3)衬底上生长所得.应用多层介质膜模型,在300～800nm测试波长范围内拟合得到了样品各层厚度和折射率色散关系,并与GaN单层膜色散关系相比较,分析了各...
关键词:
GaN
,
椭圆偏振光谱
,
InN
,
Ga2O3
