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检索条件:作者=杜裕杰  

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单晶硅表面硝酸银活化化学镀镍工艺

蒋利民 , 眭俊 , 霍盛 , 王洋 , 杜裕杰

材料保护

单晶硅表面局部金属化可用于一些特殊的技术领域,为了寻找成本低且环保的化学镀镍无钯活化工艺,以AgNO3为活化剂,加上适当的复合添加剂对单晶硅进行化学镀镍前活化处理.通过扫描电镜、耐蚀性试验及相关检测标准,研究了AgNO3浓度、活化时间、活化温度对镀层沉积速率、覆盖率和镀层光亮度、结合力及耐蚀性的影响...

关键词: 无钯活化 , AgNO3 , 单晶硅 , 化学镀镍 , 局部金属化 , 镀层性能