王军
,
成建波
,
陈文彬
,
杨刚
,
蒋亚东
,
蒋泉
,
杨健君
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2008.02.029
采用直流磁控溅射方法在室温下玻璃基板上制备ITO(Indium tin oxide)薄膜,并在真空中不同温度(100℃～400℃)下退火处理.研究了退火对薄膜表面形貌、电光特性的影响.XRD测试发现薄膜在200℃退火后结晶,优选晶向为(222).随退火温度升高,方块电阻迅速下降,表面更加平整,薄膜在可见光范围平均透过率提高到85%.
关键词:
薄膜
,
氧化铟锡(ITO)
,
退火
,
直流磁控溅射
,
方阻
