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不同退火温度下金属/4H-SiC Schottky势垒高度的研究

杨克勤 , 陈厦平 , 杨伟锋 , 孔令民 , 蔡加法 , 林雪娇 , 吴正云

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2005.02.024

采用磁控溅射的方法在4H-SiC样品上分别沉积四种金属薄膜(Ag,Cu,Ni,Cr)形成Schottky接触,研究了不同温度退火对Schottky势垒高度的影响.通过对样品的I-V测试结果的拟合,得到各金属/4H-SiC Schottky接触的势垒高度以及理想因子.在反向偏压100V下,样品的反向漏...

关键词: 光电子学 , 4H-SiC , Schottky势垒高度 , 退火