杨向荣
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张明
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王晓临
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曹万强
材料导报
大尺寸、细线宽、高精度、高效率、低成本成为IC产品发展的趋势,随着集成度的提高,芯片制造中最关键的制造工艺--光刻技术也面临着愈来愈多的难题.新兴的193 nm浸入式技术、157 nm极短紫外光刻(Euv)、电子束投影光刻(EPL)、纳米压印光刻等技术将是解决这些问题的关键.介绍了193nm浸入式技术、157nm光刻技术、电子束投影(EPL)光刻技术以及纳米压印光刻技术.指出纳米压印光刻技术具有生产效率高、成本低、工艺过程简单等优点,能实现分辨率达5 nm以下的水平,是最具发展前途的下一代光刻技术之一.
关键词:
光刻
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光源
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曝光
杨向荣
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顾豪爽
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胡永明
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尤晶
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袁颖
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胡正龙
功能材料
采用硝酸铋[Bi(NO3)3·5H2O]、硝酸锶[Sr(NO3)2]、硝酸铁[Fe(NO3)3·9H2O]和乙醇铌[Nb(OC2H5)5]作为起始原料,乙二醇甲醚[C3H8O2]作为溶剂配制掺Fe的SrBi2Nb2O9前驱体溶液,利用溶胶-凝胶法在石英衬底上制备出0.1BiFeO3-0.9SrBi2Nb2O9铁电薄膜.研究了该薄膜的表面形貌、组分、晶体结构和光学性质.结果表明,经400℃退火后薄膜为非晶结构,而在空气中经600℃退火1h后,沉积的薄膜晶化成钙钛矿结构.制备的薄膜表面平整,颗粒分布均匀,表现出良好的光透过性,该薄膜的光学能隙大约为2.5eV.
关键词:
BiFeO3-SrBi2Nb2O9铁电薄膜
,
溶胶-凝胶
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光学性质
