杨吟野
,
谢泉
材料科学与工程学报
使用射频磁控溅射系统在恒定溅射功率、Ar气压和Ar气流流量下,在Si(100)衬底上,分别沉积不同厚度的Ca膜.随后,800℃真空退火45分钟、1小时和1.5小时.半导体钙硅化物,即立方相的Ca2Si膜和简单正交相的Ca2Si膜首次、单独、直接生长在Si(100)衬底上.实验结果指明在多相共生的Ca-Si化合物中,Ca膜的沉积厚度,因溅射而生长的Ca-Si化合物的生长厚度决定了某一个单相的钙硅化物独立的生长.另外,退火温度为800℃时,有利于单相钙硅化物的独立生长.并且,退火时间也是关键因素.
关键词:
Ca2Si
,
晶核形成
,
半导体硅化物
,
退火
,
磁控溅射
杨吟野
,
汤洪敏
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2005.05.034
提出一种测量材料表面电荷是非均匀的、没有中性区的弱电荷的方法.即测试时,利用扫描探针显微镜(SPM)的静电力显微镜(EFM)测量技术,依靠轻敲模式(Tapping Mode)和抬举模式(Lift Mode),用相位成像测量有机高分子膜--壳聚糖膜(CHI)的表面电荷密度空间分布,但由于仪器设计中相位的泰勒展开是:sin△φ≈1/2△φ,所以所获的电荷图像只能确定材料的表面电荷分布和表面电荷密度的近似值.然而,嵴宽约为2.12μm表面正电荷微沟槽结构的这种特殊电荷形貌分布有利于细胞的生长,因此获得的表面电荷分布补充了生物材料表面理化性质.
关键词:
SPM
,
EFM
,
表面电荷分布
,
表面束缚电荷密度
,
表面形貌
,
壳聚糖膜(CHI)
岑伟富
,
杨吟野
,
范梦慧
,
杨文帮
,
姚娟
材料科学与工艺
doi:10.11951/j.issn.1005-0299.20150322
为了研究（001）应变对正交相Ca2P0．25Si0．75能带结构及光学性质的影响，采用第一性原理贋势平面波方法对（001）应变下正交相Ca2P0．25Si0．75的能带结构及光学性质进行了模拟计算．计算结果表明：晶格（001）面发生100％～116％张应变时，带隙随着应变增加而减小；在晶格发生88％～100％压应变时，带隙随着张应变的增加而增加；84％～88％压应变时，带隙随着压应变的增加而减小．当施加应变后光学性质发生显著的变化：随着压应变的增加，静态介电常数、折射率逐渐减小，张应变则增大．施加压应变反射向高能方向偏移，施加张应变反射向低能方向偏移，但施加应变对反射区域的影响不显著．施压应变吸收谱、光电导率的变化与介电函数和折射率相反．综上所述，（001）应变改变了Ca2P0．25Si0．75的电子结构和光学常数，是调节Ca2P0．25Si0．75光电传输性能的有效手段．
关键词:
应变
,
能带结构
,
光学性质
,
第一性原理
,
Ca2P0.25Si0.75
