张华锋
,
郑剑平
,
杨启法
,
张征
,
李鑫
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赵俊
,
胡忠武
,
饶立强
稀有金属材料与工程
采用内部气体介质对管状样品施加双向载荷对铌含量分别为3%及6%(质量分数,下同)的国产Mo-Nb合金单晶的抗内压蠕变性能进行研究.结果表明,随着溶质原子铌含量的增加,Mo-Nb合金单晶的抗内压蠕变性能增强,稳态蠕变速率及对应力的敏感性降低.随着铌含量的增加,铌的固溶强化作用明显增强,在Mo-Nb合金单晶中形成了更多的位错多边结构使得富铌析出物形状发生变化.这些因素都使得钼基体原子的扩散受到更加明显的阻碍,Mo-Nb合金单晶高温抗内压蠕变性能更加优越.
关键词:
Mo-Nb合金单晶
,
抗内压蠕变
,
稳态蠕变速率
,
固溶强化
郑剑平
,
杨启法
,
王振东
,
徐远超
物理测试
doi:10.3969/j.issn.1001-0777.2005.03.002
介绍了退火处理对合金化Mo-3Nb单晶室温力学性能的影响.试样材料采用俄罗斯提供和国内研制的两种合金化Mo-3Nb单晶材料.实验中采用退火处理条件为:温度范围900~1 800 ℃,时间2 h,退火炉真空度保持在4×10-4 Pa.用微型试样力学性能测试法测试力学性能.结果表明,随着退火温度升高,两种材料的室温屈服强度σy和抗拉强度σb都呈下降趋势,而均匀伸长率δu呈上升趋势,其中经1 600 ℃和1 800 ℃退火试样的屈服强度和抗拉强度比原始试样下降近20%,实验还发现俄罗斯提供的单晶力学性能随退火温度的变化比国内研制单晶更加敏感.分析了退火处理对合金化Mo-3Nb单晶室温力学性能的影响因素.
关键词:
合金化Mo-3Nb单晶
,
力学性能
,
退火
,
微型试样
杨文
,
荒木弘
,
杨启法
,
野田哲二
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2007.01147
对含有几种典型界面结构和SiC纳米线的CVI-SiC/SiC复合材料的弯曲性能和断裂韧性进行了比较研究. 研究表明: 界面涂层对SiC/SiC的力学性能至关重要, 120nm厚的碳界面涂层使材料的强度与韧性都增加一倍; 在用140nm厚的SiC层将该碳层分为更薄的两层, 形成C/SiC/C多层界面涂层时, 材料的强度没有明显的变化, 而断裂韧性则略有提高. 对基体中弥散分布有SiC纳米线的SiC/SiC的力学性能研究表明, SiC纳米线具有非常高的强化效率, 使SiC/SiC复合材料具有更高的强度和韧性.
关键词:
SiC/SiC复合材料
,
SiC/SiC composite
,
SiC nanowire
郑剑平
,
徐远超
,
杨启法
,
金志浩
,
李中奎
稀有金属材料与工程
采用微型样品测试方法测试了俄罗斯及国产合金化Mo-3Nb单晶的室温力学性能.结果表明:俄罗斯Mo-3Nb单晶屈服强度、抗拉强度、显微硬度比国产Mo-3Nb单晶要高,而延伸率略低;微观分析发现俄罗斯单晶基体Nb含量略高于国内研制的单晶且含有一定数量的棒状强化物.微观组织和成分的差异是引起2种Mo-3Nb单晶力学性能差异的主要原因.
关键词:
合金化Mo-3Nb单晶
,
微型样品试验
,
力学性能
佟振峰
,
戴勇
,
杨文
,
杨启法
金属学报
doi:10.3724/SP.J.1037.2011.00208
利用散裂中子源模拟聚变环境辐照F82H铁索铁/马氏体钢,辐照温度为150-450℃,辐照剂量为6.1-20.2 dpa.对不同温度和剂量辐照后样品的微观结构进行了TEM观察,结果表明,当辐照温度高于208℃,辐照剂量高于9.5 dpa,He浓度高达680×10-6时的样品中存在尺寸约为1.6 nm的高密度He泡.分析了辐照剂量、温度以及嬗变He浓度对F82H钢微观结构的影响.
关键词:
低活度铁索体/马氏体钢
,
辐照
,
离位损伤
,
He泡
杨文
,
荒木弘
,
杨启法
,
野田哲二
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324x.2007.06.027
对含有几种典型界面结构和SiC纳米线的CVI-SiC/SiC复合材料的弯曲性能和断裂韧性进行了比较研究.研究表明:界面涂层对SiC/SiC的力学性能至关重要,120nm厚的碳界面涂层使材料的强度与韧性都增加一倍;在用140nm厚的SiC层将该碳层分为更薄的两层,形成C/SiC/C多层界面涂层时,材料的强度没有明显的变化,而断裂韧性则略有提高.对基体中弥散分布有SiC纳米线的SiC/SiC的力学性能研究表明,SiC纳米线具有非常高的强化效率,使SiC/SiC复合材料具有更高的强度和韧性.
关键词:
CVI
,
SiC/SiC复合材料
,
SiC纳米线
,
界面涂层
吴尉
,
杨启法
,
郑剑平
物理测试
doi:10.3969/j.issn.1001-0777.2003.05.002
报导了具有〈111〉晶向(轴向)的管状钼单晶基体化学气相沉积(CVD)钨单晶涂层的电解蚀刻工艺及形成的{110}晶面形貌.实验发现,通过电解蚀刻,表面的{110}晶面可以完全被蚀刻出来.蚀刻出来的{110}晶面呈台阶结构,并同〈111〉晶轴相平行.蚀刻出来的{110}晶面在圆管的表面分成均等六个区.每个区内{110}晶面的台阶面的宽度呈现周期性的变化,开始台阶面较宽,逐渐变窄,然后通过一过渡区后,进入下一周期,{110}晶面的台阶面的宽度又逐渐变宽.
关键词:
钨涂层
,
气相沉积
,
电解蚀刻
,
{110}晶面