姚振钰
,
贺洪波
,
柴春林
,
刘志凯
,
杨少延
,
张建辉
,
廖梅勇
,
范正修
,
秦复光
,
王占国
,
林兰英
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.010
室温下在p-Si(100)上采用直流反应磁控溅射法外延生长了ZnO薄膜.XRD测量表明了ZnO是高度c轴单一取向生长的,XRC测量则表明了ZnO的高质量.在室温下的PL测量中见到了带边发射,其强度与晶体质量有关.
关键词:
磁控溅射
,
ZnO薄膜
,
Si衬底
王振华
,
杨安丽
,
刘祥林
,
魏鸿源
,
焦春美
,
朱勤生
,
杨少延
,
王占国
人工晶体学报
利用甲醇做氧源,采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)工艺在硅(111)衬底上生长了一系列的氧化锌薄膜,生长温度为400～600 ℃.薄膜的表面形貌及晶体质量分别利用场发射扫描电镜及X射线衍射仪进行了测量.研究表明:随着生长温度的降低,在X射线衍射图谱中氧化锌(101)峰取代了(002)峰成为了主峰.这可能是由于温度过低使得甲醇未完全分解,而甲醇分子抑制了氧化锌沿c轴极性过快的生长所致.室温光致发光光谱结果表明在较高生长温度下获得的样品具有良好的光学性质,发光强度随着温度的降低而降低.
关键词:
ZnO
,
甲醇
,
MOCVD
,
生长温度
刘力锋
,
陈诺夫
,
张富强
,
陈晨龙
,
李艳丽
,
杨少延
,
刘志凯
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.030
利用质量分离的低能离子束技术,获得了Fe组分渐变的Fe-Si薄膜.利用俄歇电子能谱法(AES)、 X射线衍射法(XRD)以及X射线光电子能谱法(XPS)测试了薄膜的组分、结构特性.测试结果表明,在室温下制备的Fe-Si薄膜呈非晶态.非晶薄膜在400 ℃下退火20 min后晶化,没有Fe的硅化物相形成.退火后Fe-Si薄膜的Fe组分从表面向内部逐渐降低.
关键词:
低能离子束
,
硅
,
铁
,
薄膜
杨君玲
,
陈诺夫
,
刘志凯
,
杨少延
,
柴春林
,
廖梅勇
,
何宏家
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2001.04.012
利用质量分离的低能双离子束外延技术,得到了(Ga,Mn,As) 化合物.衬底温度 523K 条件下生长的样品的俄歇电子谱表明,一部分锰淀积在 GaAs 的表面形成一层厚度约为 30 nm 的外延层,另一部分锰离子成功注入到 GaAs 基底里,注入深度约为 160 nm.衬底温度为 523K 时获得了 Ga5.2Mn 相,衬底温度为 673K 时获得了 Ga5.2Mn、Ga5Mn8 和 Mn3Ga 相.在 1113K 条件下对 673K 生长的样品进行退火,退火后样品中原有的 Mn3Ga 消失,Ga5Mn8 峰减弱趋于消失,Ga5.2Mn 仍然存在而且结晶更好,并出现 Mn2As 新相.
关键词:
(Ga,Mn,As) 化合物 GaAs 单晶 质量分析的低能离子束
刘力锋
,
陈诺夫
,
张富强
,
陈晨龙
,
李艳丽
,
杨少延
,
刘志凯
功能材料
利用质量分离的低能离子束技术,获得了磁性Fe-Si合金薄膜.利用俄歇电子能谱法(AES)、X射线衍射法(XRD)以及交变梯度样品磁强计(AGM)测试了样品的组分、结构以及磁特性.测试结果表明在室温下制备的Fe-Si合金是Fe组分渐变的非晶薄膜,具有室温铁磁性.当衬底温度为300℃时制备的非晶Fe-Si薄膜中有Fe硅化物FeSi相产生,样品的铁磁性被抑制.
关键词:
低能离子束
,
硅
,
铁磁性
,
磁性半导体
周剑平
,
柴春林
,
杨少延
,
刘志凯
,
张志成
,
陈诺夫
,
林兰英
功能材料
随着大规模集成电路的发展,需要一种高介质材料来代替传统的SiO2,介绍了有可能替代SiO2的几种二元材料的研究现状,主要包括Si3N4、Ta2O5、TiO2、ZrO2、Y2O3、Gd2O3和CeO2几种材料的结构和电学性能,以及制备薄膜的几种方法:蒸发法、化学气相沉积和离子束沉积.
关键词:
高-k材料
,
蒸发法
,
CVD
,
IBD
宋书林
,
陈诺夫
,
周剑平
,
尹志岗
,
李艳丽
,
杨少延
,
刘志凯
功能材料
室温条件下,用低能离子束外延制备了GaAs:Gd薄膜,X射线衍射(XRD)结果表明除了GaAs衬底峰没有发现其它新相的衍射峰,并借助于高分辨X射线衍射(HR-XRD)进一步分析了晶格常数的变化特点.俄歇电子能谱(AES)分析了样品表面的成分,及元素随深度的分布规律,在60nm深处元素的相对含量发生明显改变,运用原子力显微镜(AFM)揭示了样品表面的形貌特点.
关键词:
GaAs:Gd薄膜
,
低能离子束外延
,
GaAs衬底
宋书林
,
陈诺夫
,
尹志岗
,
柴春林
,
杨少延
,
刘志凯
功能材料
采用高能离子注入的方式,在半绝缘性的GaAs衬底中掺杂引入Mn离子制备了磁性半导体.借助于X-射线衍射仪(XRD)进行了结构分析,没有发现新的衍射峰,并运用高分辨率X射线衍射仪(HR-XRD)分析了Mn离子注入后衬底(004)峰的微小变化.根据原子力显微镜的结果发现,注入后的样品表面没有发生明显的变化.通过使用超导量子干涉仪SQUID进行变温分析,在所分析范围内M-T曲线存在拐点,但其所对应的铁磁性转变温度低于室温.
关键词:
半绝缘性砷化镓
,
磁性半导体
,
铁磁性转变温度
刘志凯
,
宋书林
,
陈诺夫
,
尹志岗
,
柴春林
,
杨少延
功能材料
采用高能离子注入的方式,在GaN衬底中掺杂引入Cr离子制备了磁性半导体.借助于X射线衍射仪(XRD)进行了注入前后结构的对比分析,没有发现新的衍射峰,并运用高分辨率X射线衍射仪(HR-XRD)分析了Mn离子注入后衬底(0002)峰的微小变化.根据原子力显微镜的结果,发现注入后的样品表面起伏比较大,发生明显的变化.通过使用超导量子干涉仪SQUID进行变温分析,在所分析的10～300K范围内,磁化强度变化幅度较小,样品在室温条件下仍然保持铁磁性.
关键词:
氮化镓
,
磁性半导体
,
铁磁性转变温度
柴春林
,
杨少延
,
刘志凯
,
廖梅勇
,
陈诺夫
,
王占国
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2001.06.001
利用一种全新的薄膜生长技术-质量分离的双离子束沉积技术,在较低温度(400℃)下对 CeO2(111)/Si(100) 薄膜的生长进行了研究.两束离子的比例以及离子束的能量对薄膜的成分和晶体质量有很大影响,较高能量(300 eV)的离子束对薄膜有轰击作用,并有助于薄膜的择优取向生长.在 400℃时,制备了 CeO2(111)/Si(100) 单晶薄膜.
关键词:
双离子束
,
CeO2/Si薄膜
,
生长
