杨志民
,
毛昌辉
,
杨剑
,
杜军
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.06.011
对2mm厚的单层吸波材料在3 GHz达到最佳吸收效果所需的电磁参数进行了理论计算,并结合现有吸波材料的参数特点对计算结果进行了分析.结果表明,在3 GHz,较高的磁导率实部是达到高吸收率的必要条件,而适当低的介电常数虚部有利于电磁参数的匹配.研究了Fe4N吸收剂/环氧树脂涂覆型吸波材料的吸波性能,结果表明,使用偶联剂对吸收剂进行表面包覆处理可以显著降低介电常数的虚部,有利于吸收率的提高.
关键词:
吸波材料
,
吸收剂
,
磁导率
,
介电常数
宋占永
,
董桂霞
,
杨志民
,
马舒旺
材料导报
概述了流延成型工艺的特点及发展历程,比较了水基流延成型与传统流延成型技术的优缺点.针对特定的流延成型工艺过程进行了详细的介绍和理论分析,同时介绍了几种新型的流延工艺.最后对流延成型技术的研究和应用进行了展望,并提出了自己的见解.
关键词:
陶瓷
,
传统流延成型
,
水基流延成型
张心强
,
屠海令
,
杜军
,
杨萌萌
,
赵鸿滨
,
杨志民
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2012.03.013
以Gd2O3-HfO2( GDH)固溶氧化物作为靶材,采用脉冲激光沉积技术(PLD)在Ge(100)衬底上制备了GDH高k栅介质外延薄膜,其外延生长方式为“cube-on-cube”,GDH薄膜与Ge(100)衬底的取向关系为(100)GDH∥(100)Ge和[110] GDH∥[110]Ge.通过反射式高能电子衍射(RHEED)技术研究了激光烧蚀能量和薄膜沉积温度对薄膜晶体结构的影响,分析了二者与薄膜的取向关系,激光烧蚀能量对薄膜取向影响更为显著.得到较优的GDH外延薄膜沉积工艺为:激光烧蚀能量为3 J·cm-2、薄膜的沉积温度为600℃.用磁控溅射制备了Au/Ti顶电极和Al背电极,其中圆形的Au/Ti电极通过掩膜方法获得,直径为50μm.采用Keithley 4200半导体测试仪对所制备Au/Ti/GDH/Ge/Al 堆栈结构的Ge-MOS原型电容器进行电学特性分析,测试条件为:I-E测试的电场强度0～6MV·cm-1,C-V测试的频率300 kHz～1 MHz,结果表明,厚度为5nm的GDH薄膜具备良好介电性能:k-28,EOT ～0.49 nm,适于22 nm及以下技术节点集成电路的应用.
关键词:
Gd2O3
,
HfO2
,
Ge
,
外延
,
激光脉冲沉积
,
高k
张艳
,
马会娜
,
杨志民
,
杜军
材料导报
以AlN和Mo为原料,采用放电等离子体烧结技术(SPS)制备了AlN-Mo复合衰减材料.运用XRD、金相显微镜、介电频谱等测试手段对复合衰减陶瓷的相组成、显微组织、复介电常数和电阻率进行表征,研究了提高渗流阁值的方法和影响复合陶瓷介电性能的因素.结果表明,添加体积分数1%的Ni可以使复合陶瓷的渗流阈值达到23%(体积分数);复合陶瓷的介电常数、损耗随Mo含量的增加而增大,同一组分复合陶瓷的介电性能可通过改变导电相的分布状态实现可控调节,并从复合陶瓷的显微组织、电阻率及介电理论上对上述结果予以解释.
关键词:
AlN-Mo复合陶瓷
,
介电性能
,
显微组织
,
电阻率
王磊
,
杜军
,
毛昌辉
,
杨志民
,
熊玉华
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2007.01.006
采用反应磁控溅射法制备SnO2薄膜经常出现化学计量比的失衡问题.通过控制溅射过程中的氧分压制备不同化学计量比的SnO2-x薄膜,研究非化学计量比对薄膜结构、成分以及气敏性能的影响.XRD结果表明氧分压对材料结构和取向的影响非常显著.薄膜的O/Sn和表面化学成分通过XPS进行确定,分析发现氧分压的增加促使薄膜接近化学计量比,但表面化学吸附氧含量在0.33Pa氧分压下达到最大.气敏性能测试表明,非化学计量比主要影响薄膜表面的化学吸附氧数量,从而影响导电性和气体敏感性.氧分压对薄膜化学吸附氧的影响趋势与对气敏性能的影响趋势一致.0.33Pa氧分压下制备的薄膜拥有最多的表面吸附氧,同时对氢气的灵敏度高达45.6%.另外,在0.2～0.5Pa氧分压下制备的薄膜对氢气具有较好的选择性.
关键词:
SnO2薄膜
,
氧分压
,
非化学计量比
,
反应磁控溅射
尔延徽
,
毛昌辉
,
杨志民
,
杜军
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2008.01.009
采用8232型B-H交流回线仪对受力前后的1J79软磁合金在不同场强和频率下磁导率的变化进行了研究,采用XRD材料受力前后微观结构变化进行了分析.研究表明:(1)场强在l～10A·m-1范围内,直流条件下受应力lJ79合金的相对磁导率远低于不受应力lJ79合金的相对磁导率.(2)场强在1～10 A·m-1范围内,交流条件(5-30 kHz)下受应力lJ79合金的相对磁导率低于不受应力lJ79合金的相对磁导率,但低于直流条件下的降低幅度.(3)lJ79合金受力后,使有利于磁性能(111)晶面取向大大减少,是合金受力后相对磁导率下降的主要原因.
关键词:
应力
,
强场
,
LJ79软磁合金
,
相对磁导率
董茜
,
杨志民
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2011.06.020
以氮化铝(AlN),钼(Mo),碳化硅(SiC)为原料,采用放电等离子烧结的方式,在1700℃,30 MPa制备出致密度高达98.5％的SiC添加的AlN/Mo复合陶瓷.采用XRD,FESEM,Agilent4284型LCR自动测试仪,网络分析仪及激光导热仪对样品的微观形貌,导电性能,介电性能和热导率进行了测试分析.研究结果表明:采用放电等离子烧结工艺,在较低的温度下可以制备出组织致密均匀的AlN/Mo/SiC复合材料,但随着SiC添加含量的增加,当SiC的体积含量占到总体的60％时,复合材料的致密度又会出现明显的下降.添加SiC后,相对于AlN/Mo复合陶瓷,复合材料的电阻率得以进行有效的控制,不会出现非线性突变-渗流现象,而是在一定的范围内缓慢下降.在26.5～40.0 GHz下复合材料的介电常数和介电损耗均随着SiC含量的增加而增加.复合材料的热导率随着SiC含量的增加而下降:当致密度高于某临界值时,其热导率主要受SiC含量及其分布状态的影响,随着SiC含量的增加呈缓慢下降的趋势；而当致密度低于临界值后,致密度成为热导率的决定性因素,使得复合材料的热导率随着致密度的降低快速下降.
关键词:
A1N/Mo/SiC复合陶瓷
,
放电等离子烧结
,
电阻率
,
介电性能
,
热导率
岳守晶
,
魏峰
,
王毅
,
杨志民
,
屠海令
,
杜军
中国稀土学报
使用射频磁控溅射法在n型Si(001)基片上生长了Gd2O3薄膜.X射线衍射扫描研究和高分辨透射电子显微镜观察表明,薄膜由立方相和单斜相混合构成,且表现出立方(111)晶面和单斜(401)晶面的择优取向生长.XPS分析表明薄膜的元素组成接近化学计量比.电性能测试发现,薄膜拥有合适的介电常数,较小的漏电流密度和较大的击穿场强,厚度为15 nm的薄膜介电常数为23,漏电流密度为3.6×10-15A·cm-2(偏压为+1 V时),击穿场强为3.5 MV·cm-1.
关键词:
Gd2O3薄膜
,
稀土氧化物
,
高K栅介质
,
磁控溅射
杨立文
,
李翠
,
蒋秉轩
,
杨志民
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2013.01.014
热场模拟在物理气相输运法(PVT法)制备SiC单晶工艺的改进中起着重要的作用.实验中发现,SiC晶体生长表面可能会起伏不平,导致生长的晶体质量下降.经分析可知,籽晶固定过程中籽晶背面形成的气孔是造成晶体生长表面起伏不平的主要因素.热场模拟发现,在籽晶背面有气孔处,籽晶生长面温度较高.气孔宽度、籽晶厚度及粘结剂厚度影响籽晶表面气孔中心与气孔边缘的温差.减小气孔、增厚籽晶可有效减小籽晶表面气孔中心与气孔边缘的温差,是改善晶体生长面质量的两个有效途径.
关键词:
物理气相输运法
,
SiC单晶
,
热场模拟
,
籽晶固定
王磊
,
毛昌辉
,
杨志民
,
杨剑
,
杜军
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2007.05.008
开展了FeCo微波吸收材料的研制及其微观结构、磁性能和微波吸收特性的研究,主要是采用机械合金化的方法制备纳米晶FeCo固溶体合金粉末,通过电磁参数的调整和改变提高吸收剂的微波吸收性能.研究表明:采用机械合金化制备的FeCo合金粉末与常规羰基铁粉相比,饱和磁感应强度提高10%,磁导率和介电常数在一定频率范围大幅度提高;机械合金化制备的FeCo合金粉末作为吸波材料的吸收剂,与常规羰基铁粉相比,在质量分数相同的情况下,微波反射率峰值频率向低端移动;FeCo合金型吸波材料在厚度一定的条件下,微波反射率峰值频率随FeCo吸收剂质量分数的提高而降低.
关键词:
机械合金化
,
微波吸收材料
,
纳米晶材料
,
FeCo
