邢玉梅
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陶凯
,
俞跃辉
,
郑志宏
,
杨文伟
,
宋朝瑞
,
沈达身
功能材料
用电子束蒸发氧化铪靶的方法,在SOI(绝缘体上硅)材料上制备了氧化铪薄膜,随后在氮气中进行快速退火(600℃,300s).借助掠角X射线衍射(GAXRD)、X射线光电子能谱(XPS)、高分辨透射电镜(HRTEM)技术分析了样品的微观结构,研究了样品在退火前后发生的组成及结构变化,结果表明退火后氧化铪薄膜由退火前的非晶态转变为单斜结构的多晶态,薄膜中的O/Hf原子比较退火前更接近化学计量比2.借助扩展电阻探针(SRP)技术考察了退火前后薄膜的电学性能,证明在SOI材料上制备的多晶氧化铪薄膜同样具有较好的电介质绝缘性能.
关键词:
SOI材料
,
氧化铪
,
薄膜
邢玉梅
,
俞跃辉
,
林梓鑫
,
宋朝瑞
,
杨文伟
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.03.010
采用离子束合成法,将p型(100)单晶硅衬底加热并保持在700℃的条件下分别进行剂量为8.0×1017cm-2和9.0×1017cm-2的C+注入,随后在氩气保护下经1250℃退火5h后形成β-SiC埋层.借助红外反射光谱、卢瑟福背散射能谱以及高分辨透射电镜等测试手段,对退火前后碳化硅埋层的组分及结构进行了表征分析,结果证明形成的碳化硅埋层结晶质量较好,并与硅衬底呈良好的外延关系.
关键词:
碳化硅
,
离子束合成
,
埋层
程新红
,
宋朝瑞
,
杨文伟
,
俞跃辉
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.03.015
利用掩膜注氧隔离技术(Masked SIMOX)制备图形化SOI衬底,采用与常规1μm SOI CMOS工艺兼容的工艺流程,制备了图形化SOI LDMOS 功率器件.器件的输出特性曲线中未呈现翘曲效应、开态击穿电压高于6V、关态击穿电压达到13V、泄漏电流的量级为10-8A;截止频率为8GHz;当漏工作电压3.6V,频率为1GHz时,小信号电压增益为6dB.直流和射频电学性能表明,图形化SOI LDMOS结构作为射频功率器件具有较好的开发前景.
关键词:
图形化SOI技术
,
LDMOS
,
射频功率器件
,
增益
盛梅
,
杨文伟
,
郭登峰
应用化学
doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2005.07.020
研究了菜籽油与甲醇在固定化脂肪酶催化作用下转酯反应生成菜籽油甲酯(即生物柴油)的过程,考察了酶的预处理方式、反应体系含水量、醇与油摩尔比和甲醇的加入方式等对产物中甲酯含量的影响.结果表明,将酶在油酸甲酯中浸泡2 h,用菜籽油洗涤,再在菜籽油中浸泡12 h后,可明显提高其催化活性,加快醇解反应速率.原料菜籽油和甲醇本身含有的微量水,可激活酶的催化活性,加快醇解反应速率,体系含水量过高反而使酶的活性有所下降.酶催化菜籽油醇解反应最适醇与油摩尔比为3:1,甲醇分3次加入,可避免酶在甲醇溶液中失活,最终产物中甲酯含量高达99%以上.
关键词:
转酯反应
,
固定化脂肪酶
,
菜籽油
,
甲醇
,
生物柴油
