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溅射后退火簇状GaN纳米棒的生长及其镁的作用

艾玉杰 , 薛成山 , 孙莉莉 , 孙传伟 , 庄惠照 , 王福学 , 杨昭柱 , 秦丽霞

功能材料

采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/Mg薄膜,然后在1000℃时于流动的氨气中进行氨化反应制备GaN薄膜.X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、选区电子衍射(SAED)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)的结果表明采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米棒.通过扫描电镜(S...

关键词: GaN , 磁控溅射 , 纳米棒