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Ni/Au与p-GaN的比接触电阻率测量

卫静婷 , 冯玉春 , 李炳乾 , 杨建文 , 刘文 , 王质武 , 施炜 , 杨清斗

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.06.013

通过采用环形传输线方法(CILM),电流-电压(I-V)曲线、表面形貌等方法,研究不同的Ni/Au厚度比和空气气氛下合金退火温度对p型氮化镓欧姆接触特性造成的影响.根据Ni/Au与p型氮化镓欧姆接触的形成机制,采用合适的Ni/Au厚度比及退火温度,得到比接触电阻率(ρc)为1.09×10-5 Ω·cm2的Ni/Au-p-GaN电极,并分析了Ni在退火过程中对形成良好的欧姆接触中所起到的作用.

关键词: p型氮化镓 , 镍/金 , 比接触电阻率

氮化铝薄膜光学常数和结合力测试分析

杨清斗 , 刘文 , 王质武 , 卫静婷

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2007.05.019

用直流磁控溅射方法在硅衬底上制备氮化铝薄膜.X射线衍射仪和X射线光电子能谱仪分析了薄膜的结构和成分;椭圆偏振仪测量并拟合获得AIN薄膜在250～1000 nm波长范围内的折射率和消光系数曲线;利用大荷载划痕仪的声发射谱检测方法并结合不同压力下的划痕显微形貌观察得到薄膜临界载荷(结合力)Lc为29.45N.

关键词: 氮化铝薄膜 , 椭圆偏振仪 , 消光系数 , 划痕仪 , 结合力

直流磁控反应溅射制备(002)择优取向AlN薄膜

王质武 , 刘文 , 杨清斗 , 卫静婷

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.042

采用直流磁控溅射法,Al靶直径75mm,靶基距9cm,本底真空3×10-5Pa,气体分压N2/Ar=1/3,工作气压0.2Pa,溅射功率72W,溅射时间1h,溅射过程不加热,使其自然升温,在Si(100)衬底上制备AlN薄膜.结合椭圆偏振仪、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)等测试手段研究了薄膜特性.结果表明,所制备的多晶AlN薄膜厚度为715nm,具有良好的(002)择优取向,其衍射峰半高宽(FWHM)为0.24°.XPS剥蚀260min后O的原子浓度降为6.24%,Al和N化学剂量比非常接近1:1.AlN薄膜晶粒大小均匀,平均尺寸为35nm左右.表面粗糙度为0.37nm,表面均方根粗糙度为0.49nm,Z轴方向最高突起约3.13nm.

关键词: 氮化铝薄膜 , 直流磁控溅射 , 择优取向

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