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原词结果 | 译词结果

荷能离子在C60薄膜中引起的辐照效应

金运范 , 杨茹 , 王衍斌 , 刘昌龙 , 刘杰 , 侯明东 , 姚江宏

原子核物理评论 doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2000.03.003

用Raman散射和XPS技术分析了能量为几百keV到几百MeV的多种离子在C60薄膜中引起的辐照效应. 分析结果表明,在低能重离子辐照的C60薄膜中,其晶态向非晶态的转变过程是由核碰撞主导的. 在快离子(120 keV的H离子和171.2 MeV的S离子)辐照的情况下,电子能损起主导作用. 发现在H离子辐照过程中,电子能损有明显的退火效应,致使C60由晶态向非晶态转变的过程中,经历了一个石墨化的中间过程;而在S离子辐照的情况下,电子能损的破坏作用超过了退火效应,因此,在C60由晶态向非晶态转变的过程中,无石墨化的中间过程.

关键词: 辐照效应 , C60薄膜 , 荷能离子 , 退火效应

InGaAs/InP中离子注入和新型HPT

李国辉 , 杨茹 , 于民 , 曾一平 , 韩卫

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.031

InGaAs/InP是制作光电器件与微波器件的重要材料.离子注入InGaAs/InP做掺杂或制作高阻层是人们十分关注的研究课题.采用Fe+注入InGaAs/InP得到了电阻率升高的好结果.用Be+注入制作了新结构HPT的基区.研制成功了在1.55μm波长工作的InGaAs/InP新结构光电晶体管,在0.3μW入射光条件下,光电增益为350.

关键词: InGaAs/Inp , 离子注入 , 新结构HPT

Ge/GaAs中APD及薄膜性能研究

杨茹 , 李国辉 , 仁永玲 , 阎凤章 , 朱红清

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.035

研究了一种光纤通讯用光电探测器.在GaAs上蒸镀800nm的Ge,并在此材料基础上提出了一种吸收倍增分离的雪崩二极管(SAM-APD)的结构设计,采用GaAs作为倍增区,Ge作为吸收区.在此结构上初步制作的二极管正向开启电压为0.2～0.3V,反向击穿电压为2.5V,漏电不明显,p-n结特性良好.

关键词: Ge/GaAs , 吸收倍增分离 , 雪崩光电二极管(APD)

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