杨莺
,
周孑民
工程热物理学报
本文以制动盘为研究对象,基于三维对称有限元模型,运用顺序耦合数值模拟方法对制动盘制动过程传热与受力进行了探讨,分析了在热流密度、对流换热系数、辐射换热系数与时间相关的复杂的二、三类边界条件下,温度场与应力场的瞬时变化.研究结果表明,数值模拟结果与实验结果吻合程度高,证明了采用数值模拟方法对具有复杂边界条件的对象进行热应力研究与预测的可行性,同时为其他领域的传热与应力研究提供了理论依据.
关键词:
有限元法
,
数值模拟
,
顺序耦合
,
复杂边界
,
热应力场
王平华
,
杨莺
,
王贺宜
,
刘春华
,
唐龙祥
,
李凤妍
高分子材料科学与工程
将二硫代酯化合物作为RAFT(可逆加成.断裂链转移反应)试剂,采用RAFT活性聚合方法在碳纳米管表面接枝丙烯酸丁酯和马来酸酐的共聚物,并制备了PC/碳纳米管复合材料.利用FT-IR、TEM表征接枝后的碳纳米管,考察了碳纳米管用量对PC/碳纳米管复合材料的力学性能的影响,现察了PC/碳纳米管复合材料冲击断面形貌.结果表明,碳纳米管表面接枝上了一层聚合物.PC/碳纳米管复合材料的力学性能得到了改善.
关键词:
碳纳米管
,
可逆加成.断裂链转移反应
,
聚碳酸酯
,
力学性能
陈进
,
杨莺
,
邢青青
,
张力
,
晁苗苗
,
穆美珊
人工晶体学报
采用(NH4)2S溶液钝化SiC的Si面,借助反向I-V特性间接表征钝化效果,得到了SiC表面最佳的钝化参数:钝化温度60 ℃、钝化时间30 min、NH3·H2O浓度为2.4 mol/L、(NH4)2S浓度为0.22 mol/L.XPS测试结果表明钝化后的6H-SiC表面形成了Si-S键,反向饱和I-V特性表明S钝化降低了表面的态密度.实验结果与第一性原理计算结果相吻合.
关键词:
碳化硅
,
S钝化
,
I-V
,
XPS
杨莺
,
陈治明
人工晶体学报
采用湿法腐蚀工艺,对PVT法生长的碳化硅单晶缺陷进行了研究.利用熔融态KOH和K2CO8作为腐蚀剂,通过分别改变腐蚀剂配比、腐蚀时间、腐蚀温度的方法,获得了良好的湿法腐蚀工艺参数.用CCD光学显微镜和SEM观察腐蚀以后的晶体表面形貌.结果表明,最佳腐蚀工艺参数为K2CO3:KOH=5 g:200 g,440 ℃/30 min.腐蚀以后(0001)Si表面可以清晰地观察到微管、基面位错、螺位错和刃位错.实验还发现晶片表面抛光质量会影响腐蚀后SiC表面的形貌.
关键词:
碳化硅
,
缺陷
,
腐蚀
李峰
,
杨莺
,
李碧珊
,
陈进
,
邢青青
,
侯志斌
人工晶体学报
基于Valence-Mending概念对Si(100)表面进行S钝化研究.对于Ni/n-Si肖特基接触,S钝化使其肖特基势垒高度向其理想势垒高度靠近了0.09 eV;对于Al/p-Si肖特基接触,S钝化使其肖特基势垒高度向其理想势垒高度靠近了0.08 eV.少子寿命测试结果表明S钝化使Si(100)表面少子寿命提高大约1个数量级;热稳定性实验结果表明560℃时S钝化效果退化;XPS测试结果表明S离子化学吸附在Si表面并形成Si-S键,样品在空气中放置一段时间后表面Si-S键被氧化,表明S钝化抗氧化性不强.
关键词:
S钝化
,
肖特基势垒
,
少子寿命
,
稳定性
,
抗氧化性
王平华
,
杨莺
,
刘春华
,
唐龙祥
,
李凤妍
高分子材料科学与工程
采用RAFT活性聚合反应在碳纳米管表面接枝聚甲基丙烯酸甲酯 (二硫代酯化合物作RAFT试剂),并制备了碳纳米管/PA6纳米复合材料.利用FT-IR、TEM、SEM、TGA等测试方法表征接枝聚合物后的碳纳米管,考察了碳纳米管的用量对碳纳米管/PA6纳米复合材料力学性能的影响,并观察了碳纳米管/PA6纳米复合材料冲击断面形貌.结果表明,聚合物接枝到了碳纳米管表面,碳纳米管/PA6纳米复合材料的力学性能明显提高.
关键词:
碳纳米管
,
可逆转辅助破裂链转换
,
力学性能
,
尼龙6
王平华
,
李凤妍
,
刘春华
,
杨莺
高分子材料科学与工程
采用可逆加成-断裂链转移(RAFT)聚合方法在碳纳米管表面接枝聚甲基丙烯酸甲酯和聚苯乙烯嵌段共聚物MWNT-P(MMA-b-St),对碳纳米管进行改性.采用直接共混法制备碳纳米管/水性聚氨酯纳米复合材料.通过红外光谱(FT-IR)和透射电镜(TEM)对嵌段共聚物的结构进行了表征.碳纳米管加入对乳液成膜性影响不大.热失重分析(TGA)和力学性能测试结果表明,当改性后的碳纳米管含量为聚氨酯固体份的0.75%时,复合材料的热稳定性、拉伸强度和断裂伸长率均较聚氨酯有所提高.
关键词:
可逆加成-断裂链转移
,
碳纳米管
,
水性聚氨酯
,
纳米复合材料
杨莺
,
刘素娟
,
陈治明
,
林生晃
,
李科
,
杨明超
人工晶体学报
为了研究表面状态对晶体质量的影响,本文分别采用腐蚀后抛光与未抛光的晶片作为籽晶,利用金相显微镜对所得晶体进行了显微观察,结果表明:经过腐蚀后抛光的籽晶生长出的晶体质量高于未抛光籽晶所得晶体；生长前端的位错尺寸以及数量小于未抛光籽晶,说明抛光去除了部分表面浅的缺陷腐蚀坑,同时减小深腐蚀坑的尺寸,使得籽晶生长表面的缺陷密度和尺寸大大降低,有助于减少后期生长的晶体中的缺陷密度,提高结晶质量.
关键词:
SiC籽晶
,
表面状态
,
腐蚀
,
抛光
,
缺陷密度
