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一个证明SI-GaAs中EL2缺陷为双施主中心的方法

周滨 , 杨锡权 , 王占国

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1998.02.010

利用SI-GaAs中EL2缺陷在低温下特有的光淬灭行为, 提出了一个证明EL2缺陷是一个具有多个不同荷电状态的双施主中心的实验方法. 讨论了该方法用于测量SI-GaAs材料电学补偿度,进而对材料的热学稳定性进行评价的可能性.

关键词: SI-GaAs , EL2 , 光淬灭 , 补偿度