肖志松
,
徐飞
,
张通和
,
程国安
,
杨锡震
,
顾岚岚
,
王迅
材料导报
阐述了掺Er硅发光的研究意义和现状,总结了掺Er硅的材料性能、发光机理、提高发光效率的途径、制备方法,以及掺Er硅LEDs器件的行为和来来展望.
关键词:
掺Er硅
,
发光
,
发光效率
康秀英
,
杨锡震
,
王亚非
,
王幼林
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2001.01.009
讨论了掺氮磷化镓（GaP∶N）荧光光谱的峰值强度（孤立氮等电子中心束缚激子发光峰A、最邻近N-N对束缚激子发光峰NN1和次邻近N-N对束缚激子发光峰NN3）随激发强度的变化规律，并在发光跃迁动力学方程中计入了由于高激发密度引起的样品温度升高，而导致孤立氮A的能级NA和最邻近N-N对NN1的能级的热激发的增强，得到了R（即最近邻N-N对(NN1)束缚激子发光峰与孤立N等电子中心束缚激子发光峰的强度比INN1/IA）与掺N浓度和激发光强的变化关系。利用实验数据进行拟合，得到了更好的拟合结果，并讨论了用此法计算GaP∶N样品中氮浓度时应注意的一些问题。
关键词:
掺氮磷化镓(GaP∶N)
,
荧光光谱
,
拟合
赵普琴
,
杨锡震
,
薛洪涛
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2002.02.006
在已报道的p-n2-n1结的势垒分布计算的基础上,对该结构的浓度分布进行了计算.对于正偏情形,计入了n2区产生的压降.考虑到GaP∶N LED发光区主要在p区,注入效率γ=jn/(jn+jp),jn和jp分别为电子电流和空穴电流.p区内的少子扩散可视为向无限远处的一维扩散;n2区内外加正向偏压时电场不能忽略,空穴又被n2-n1 结势垒阻挡(设被完全阻挡),则问题归结为求解有限厚度层中空穴的扩散和复合方程, 由边界条件求出空穴扩散电流.将求出的电子扩散电流和空穴扩散电流代入注入效率的表达式即可求得γ.对在合理的参数值范围内的计算结果进行了讨论.分析表明:当n2值在1015～1016cm-3范围内时,注入效率较高,与实验结果基本相符.
关键词:
GaP∶N LED
,
结构参数优化
,
载流子
,
浓度
