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检索条件：作者=杨锡震
肖志松 , 徐飞 , 张通和 , 程国安 , 杨锡震 , 顾岚岚 , 王迅
材料导报
阐述了掺Er硅发光的研究意义和现状,总结了掺Er硅的材料性能、发光机理、提高发光效率的途径、制备方法,以及掺Er硅LEDs器件的行为和来来展望.
关键词: 掺Er硅 , 发光 , 发光效率
李桂英 , 刘荣寰 , 杨锡震 , 王亚非 , 桑丽华
稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1999.06.016
阐述了GaP:NLPE片纵向载流子浓度分布的测量方法,探讨了各层载流子浓度和载流子浓度分布对发光效率的影响.
关键词: GaP:N , LPE , 载流子浓度
赵普琴 , 杨锡震 , 李桂英 , 王亚非
液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2001.01.010
GaP∶N绿色LED发光效率的提高有赖于对其结构参数的优化。根据载流子分布的连续性，由泊松方程自洽求解，得出了半导体n--n结势垒分布的计算方法。在此基础上，计入n-区内的电位降，计算了商用发光二极管p+-n--n结构的势垒分布，为整体结构的参数优化准备了必要的条件。
关键词: 磷化镓 , 发光二极管 , 势垒
康秀英 , 杨锡震 , 王亚非 , 王幼林
液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2001.01.009
讨论了掺氮磷化镓（GaP∶N）荧光光谱的峰值强度（孤立氮等电子中心束缚激子发光峰A、最邻近N-N对束缚激子发光峰NN1和次邻近N-N对束缚激子发光峰NN3）随激发强度的变化规律，并在发光跃迁动力学方程中计入了由于高激发密度引起的样品温度升高，而导致孤立氮A的能级NA和最邻近N-N对NN1的能级的热激...
关键词: 掺氮磷化镓(GaP∶N) , 荧光光谱 , 拟合
赵普琴 , 杨锡震 , 薛洪涛
液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2002.02.006
在已报道的p-n2-n1结的势垒分布计算的基础上,对该结构的浓度分布进行了计算.对于正偏情形,计入了n2区产生的压降.考虑到GaP∶N LED发光区主要在p区,注入效率γ=jn/(jn+jp),jn和jp分别为电子电流和空穴电流.p区内的少子扩散可视为向无限远处的一维扩散;n2区内外加正向偏压时电场...
关键词: GaP∶N LED , 结构参数优化 , 载流子 , 浓度
