张学敏
,
张立国
,
钮应喜
,
鞠涛
,
李哲
,
范亚明
,
杨霏
,
张泽洪
,
张宝顺
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.04.028
石墨烯作为一种碳原子所组成的二维蜂窝状结构晶体，具有诸多优异的特性，从而倍受全世界科学工作者的关注。在碳化硅衬底上外延生长石墨烯是实现石墨烯在微电子领域中应用的最有效途径之一。利用感应加热的高温 CVD 设备，先在4H-SiC 衬底上外延生长一层2~10μm 厚的碳化硅，然后直接再在外延碳化硅上原位外延生长石墨烯。实现外延碳化硅-石墨烯的连续生长，从而减少氢气刻蚀带来的晶格缺陷和表面硅富集严重削减现象，并使低成本制备碳化硅上的石墨烯成为可能。通过拉曼光谱、扫描电子显微镜及 X 射线光电子能谱等表征，验证了该方法生长的石墨烯具有较好的晶体质量。
关键词:
石墨烯
,
碳化硅
,
外延生长
,
晶体质量
刘力锋
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陈诺夫
,
尹志岗
,
杨霏
,
周剑平
,
张富强
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.01.004
采用离子能量为 100keV,剂量为 3× 1016cm- 2的离子注入技术,室温下往 n型 Ge( 111)单晶 衬底注入 Mn+离子,注入后的样品进行 400℃热处理.利用 X-射线衍射法 (XRD)和原子力显微 镜( AFM)对注入后的样品进行了结构和形貌分析, 俄歇电子能谱法 (AES)进行了组分分析,交变 梯度样品磁强计( AGM)进行了室温磁性测量.结果表明原位注入样品的结构是非晶的,热处理后 发生晶化现象.没有在样品中观察到新相形成. Mn离子较深的注入进 Ge衬底,在 120 nm处 Mn原子百分比浓度达到最高为 8%.热处理后的样品表现出了室温铁磁特性.
关键词:
离子注入
,
锗
,
铁磁性
,
稀磁半导体
刘力锋
,
陈诺夫
,
尹志岗
,
杨霏
,
周剑平
功能材料
利用离子注入方法,以离子能量为100keV,剂量为3×1016cm-2,室温下往n型Ge(111)单晶衬底注入Mn+离子,注入后的样品分别在400和600℃氮气氛下进行热处理.利用交变梯度样品磁强计室温下对样品进行了磁性测量,利用X射线衍射法分析了样品的结构特性,俄歇电子能谱法分析了热处理样品的组分特性.磁性测试结果表明热处理后的样品表现出室温下的铁磁性.结合样品的组分、结构特征进行磁性分析后认为样品在热处理后形成铁磁性半导体MnxGe1-x结构可能是样品表现室温铁磁性的主要原因.
关键词:
离子注入
,
铁磁性
,
MnxGe1-x
杨霏
,
丛爽
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2011.04.002
在回顾量子系统中有关纠缠探测的各种方法和纠缠度不同定义的基础上,总结了探测两体或多体纠缠的几种分离判据；分析了它们与正映射之间及其相互之间的关系；重点分析了纠缠目击者这种特殊的分离判据,包括它的定义以及构造方法,并且从实验观点分析了它的应用.在已提出的公理化假设的纠缠测量思想基础上,讨论了理论上各种两体纠缠度和多体纠缠度的定义以及各种纠缠度在实验中的估计问题.最后对各种非线性分离判据进行了分析.
关键词:
量子信息
,
纠缠探测
,
纠缠度
,
纠缠目击者
,
分离判据
,
Legendre变换
